求助：双向可控硅过零触发强度调节问题

登录 · 发表于 2012-1-24 18:46

附件的图片是个很常见的双向可控硅的过零触发电路。470电阻和0.05uf电容组成移相网络，f=1/2*π*470*0.05 uf(这样算正确吧,对于50Hz的交流电来说好像移的角度也不大）
我们公司的一个产品的线路和这个几乎一样，单片机有强度调节的功能。
我的疑问是，当我调节强度的时候，我测量MOC PIN2的波形，发现负向脉冲的幅度和脉宽几乎没什么变化，那如何实现调节可控硅的导通角呢？我示波器时间是在us级别测试的，难道要在ns级别嘛？
还有那段英文里面的for subbing的意思是什么哦？
望各位指教，多谢！

登录 · 发表于 2012-1-24 20:08

本帖最后由 hulx 于 2012-1-24 20:11 编辑

如果是过零触发，好像没有触发强度的概念吧！是控制导通时间长短，准确说是周波数。snubbing是缓冲。楼主概念有点混乱哦。

登录 · 发表于 2012-1-24 22:28

呵呵，楼主确实完全没搞懂这堆电阻电容是怎么回事。东西太多了，三言两语给楼主说不清楚，楼主还是先看下我的附件吧，然后我们再讨论。

发表于 2012-1-24 22:29

另外楼主也没搞清楚“可控硅调相”是怎么回事，建议先Google一下。

发表于 2012-1-24 22:35

谢谢，万分感谢！我会好好学习。

发表于 2012-1-24 22:41

楼主确实应该先弄清楚可控硅工作及调相的原理，简单说，过零之后的触发点不同，导通角就不同，负载上得到的等效电压就不同。

发表于 2012-1-27 20:08

过零点后延时一段时间触发，可以改变功率，延时的多少就是你改变功率的多少，但是也不是线性关系！

发表于 2012-1-27 20:38

当然不是线性的，交流电是正弦波。

发表于 2012-1-29 00:12

这是一个触发电路还需要一个同步电路

发表于 2012-1-29 10:21

楼主的基础比较薄弱，建议先看下双向可控硅的原理，T1，T2，G，
然后再看一下带过零检测的光耦如何配合可控硅实现交流导通的。
这两个问题搞清楚了，楼主的问题也就解决了

发表于 2012-2-1 16:22

看看。。。。

发表于 2012-2-1 18:21

了解了，470欧和0.05uf电容组成低通滤波。39欧和0.01uf组成缓冲电路，缓冲dv/dt,防止切换阶段误触发。
所谓的过零触发，只是CPU去检测过零的次数，然后CPU根据检测的次数去发出延迟的控制信号去调正弦输入信号，导通角的不同导致输出电压不同。

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