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最近安森美半导体新推出了一款AFGHL75T65SQDx场终止型沟槽IGBT，不仅可以为汽车应用中的硬开关和软开关拓扑提供最佳性能，同时还拥有极强的性能优势，如密集参数分布、快速开关以及低导通损耗等特性。此外，它还采用了场终止第4代高速IGBT技术，符合AEC-Q101标准，AFGHL75T65SQDx场终止型沟槽IGBT零件100%经过ILM测试，拥有1.6VCE(Sat)低饱和电压（IC=75A时），最高结温175°C，它的输入电流75A，输入电压650V，可以提供更高的可靠性。除了汽车应用外，还可以应用在其他方面，包括PFC、直流-直流转换器、xEV车载和非车载充电器以及工业逆变器等。 |
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