关于stm32f103 读写内部flash的经验分享

发表于 2021-9-1 08:57

片内Flash脆弱的很，擦着擦着就坏了。

发表于 2021-9-1 10:36

一直都用内部FLASH，而且都是掉电时保存数据的，但偶尔有个别板会出现读取数据有误，也不知道是保存出错还是读取出错，想了很多办法但无法根本解决，为了延长FALSH的寿命，我不是在固定的地方保存数据的，分几页每页分多块来保存数据，这样就不用每次保存数据都要先擦除一次

发表于 2021-9-1 10:42

Alina艾发表于 2021-8-31 22:09
用内部flash好是好，就怕程序给覆盖了或者是覆盖程序了，这个有啥好的方法检测此处是否有是有用数据么？ ...

数据固定保存在程序不可能占到的位置，比如你的程序只有10K，那就用20K以后的地址就不可能覆盖了，当然留多点余量更安全，反正空间多的是。

发表于 2021-9-1 10:47

只要flash操作的好，应该就没有什么问题了。

发表于 2021-9-1 13:17

gdszzyq 发表于 2021-9-1 10:36
一直都用内部FLASH，而且都是掉电时保存数据的，但偶尔有个别板会出现读取数据有误，也不知道是保存出错还 ...

如果是掉电保存数据的话，你应该是没有记得有一个叫备份寄存器的地方，把数据放到那里就行，如果是读取出错的话，就是我说的写入之前需要擦除，擦除之前需要清除标志位，你再试试应该就好了

发表于 2021-9-1 13:19

caoenq 发表于 2021-9-1 08:57
片内Flash脆弱的很，擦着擦着就坏了。

10万次的擦写次数

发表于 2021-9-6 09:06

binoo7 发表于 2021-9-1 13:19
10万次的擦写次数

手册上写的是10K次

发表于 2021-9-10 12:14

就是一个标准的流程

发表于 2021-9-10 12:15

一次最少擦除多少数据？

发表于 2021-9-10 12:39

在flash这方面基本都是共通的

发表于 2021-9-10 13:39

如何进行校验呢

发表于 2021-9-10 13:42

可以不进行锁定吧

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