【华大测评】为HC32F460外部Flash制作FLM

发表于 2021-12-5 16:05

HC32F460开发板自带了一颗8M的FLASH：W25Q64，这么大的FLASH不装点什么感觉有点浪费，但是要装满的话需要单独写一个程序，这在实际开发中失衡麻烦的一件事。于是最近抽空做了一个FLM，分享给大家。大家也可以根据自己的需要自己写一个。
首先从keil安装目录下拷贝一份FLM模板工程：

再搜寻FlashOS.h，添加到模板工程中：

选择型号HC32F460PETB:

如图设置FlashDevice：

从官方例程中拷贝W25Qxx驱动至模板工程中：

再将相关文件如QSPI、CLK设置文件等拷贝至模板工程中：

如图设置Options:

添加相关文件至模板工程中：

按FlashPrg文件添加初始化，擦除与写函数：

编译生成FLM文件：

修改文件名并拷贝至keil/ARM/Flash中：

加载FLM文件。可以看到此时keil已识别FLM并可以加载了：

将IROM2设为W25Q64的地址：

编写一个大数组并设置地址为IROM2：

下载错误？看了一下是RAM for Algorithm设置小了：

增大RAM for Algorithm：

重新编译下载，可以通过Memory看到data常量成功写入：

最后说一下，W25Q64的驱动设置必须按如下设置，如果直接使用官方的配置，会发现写入的数据有误：

工程文件如下：

_Template.zip (98.62 KB, 下载次数: 72)

HC32F460_QSPI.zip (4.35 MB, 下载次数: 82)

HC32F460_QSPI_Download.zip (2.9 MB, 下载次数: 88)

HC32F460_W25Qxx.zip (247.96 KB, 下载次数: 85)

发表于 2021-12-5 17:44

这个不错，学习了。

发表于 2021-12-5 19:17

不错，谢谢楼主分享经验。

发表于 2021-12-6 09:40

不错，谢谢楼主分享经验。

发表于 2021-12-6 17:56

棒~~很不错啊

发表于 2021-12-7 08:32

这个很好，谢谢了。

发表于 2021-12-8 14:26

不错，谢谢楼主分享经验。

发表于 2021-12-8 16:21

厉害厉害，非常敬业

发表于 2022-1-19 15:55

了不起，感谢楼主的讲解

发表于 2022-7-19 17:18

if (memcmp(data, pFlashReadAddr, (uint32_t)bufferLen) != 0)
一次性比较27421个字节可以比较吗？为啥还要4k一次处理

发表于 2022-7-19 17:42

jheng 发表于 2022-7-19 17:18
if (memcmp(data, pFlashReadAddr, (uint32_t)bufferLen) != 0)
一次性比较27421个字节可以比较吗？为啥还 ...

这样写的原因是如果有错误可以确定出错的位置，同时如果一次性检查那么多字节，内存不一定够用，最后你还要考虑程序的可移植。

发表于 2022-7-20 09:57

纪国圣发表于 2022-7-19 17:42
这样写的原因是如果有错误可以确定出错的位置，同时如果一次性检查那么多字节，内存不一定够用，最后你还 ...

我的意思是程序看着是一次性比较的，bufferlen并不是4k

发表于 2022-7-20 10:59

没有设置断点，但是报这个错误

发表于 2022-7-21 23:08

烧录的时候需要把校验去掉才不报错误，也无法仿真查看烧录对没有，希望楼主能够再讲清楚一些。

1.我使用2线的QSPI在外面把驱动测试能够使用，烧录的时候那0x20000 设置不了这么大，不超过65536.

发表于 2022-7-23 09:32

本帖最后由纪国圣于 2022-7-23 09:49 编辑

jheng 发表于 2022-7-20 09:57
我的意思是程序看着是一次性比较的，bufferlen并不是4k

重温了一遍程序，你指出的部分确实有点问题，从通用性考虑应该4K一比较，并且在flashAddr += FLASH_SECTOR_SIZE;后面加上一个指向data[]数组的指针偏移。这样比较好。这里偷了个懒，先获取外部FLASH存储位置的指针，然后与data直接比较，这在大数据量下容易出问题。容易误解的地方是

复制

flashAddr += FLASH_SECTOR_SIZE;

            if (flashAddr >= FLASH_MAX_ADDR)

            {

                flashAddr = 0u;

            }

其实在这个测试程序中是没必要的，当时移植没删掉，给大家造成误解，抱歉。
感谢指出错误。

发表于 2022-7-23 09:34

jheng 发表于 2022-7-20 10:59
没有设置断点，但是报这个错误

我这边没有重现这个错误，所以没办法提出有效的建议。我这边是用的是V5.31版本。可以换个版本试试。

发表于 2022-7-23 10:05

本帖最后由纪国圣于 2022-7-23 10:17 编辑

towp007 发表于 2022-7-21 23:08
烧录的时候需要把校验去掉才不报错误，也无法仿真查看烧录对没有，希望楼主能够再讲清楚一些。

1.我使用2 ...

烧录的时候那0x20000 设置不了这么大？工程其他地方有没有修改？至于烧录后是否正确，写一个比较函数，如：

复制

const uint8_t data[] = {数据};

uint32_t flashAddr = 0u;

uint8_t *pDataAddr = data;

uint8_t *pFlashReadAddr = (uint8_t *)((uint32_t)QSPI_BUS_ADDRESS); 

uint32_t i = 0;

for (i = 0;i < 最大的sector;i++)

{

        pFlashReadAddr = (uint8_t *)((uint32_t)QSPI_BUS_ADDRESS + flashAddr);

        /* Compare txBuffer and flash */

        if (memcmp(pDataAddr, pFlashReadAddr, FLASH_SECTOR_SIZE) != 0)

        {

                失败

        }

        else

        {

                成功

        }

        

        flashAddr += FLASH_SECTOR_SIZE;

        pDataAddr+= FLASH_SECTOR_SIZE;

}

[方案相关] 【华大测评】为HC32F460外部Flash制作FLM

相关帖子

浏览过的版块

技术奇才奖章

技术导师奖章

十世金身

沉静之湖泊

突出贡献奖章