功率mosfet导通压降保护电路

登录 · 发表于 2012-4-25 15:16

U1导通后，由于C1的存在，U2的 PFI 管脚电压有一个放电时间，设计电路时需考虑此时间。通过 R2和 C1解决 VQ2先导通带来的误动作信号问题。当 VQ2，VQ1都导通后，此时U1的导通程度完全取决于 VQ1的导通压降。随着输出电流的增加，VQ1导通压降也随之增加，当增到一定值时，U1开始逐渐导通，C1的电位通过 R2泄放。一但 C1的电压低于 U2的检测动作电压 1.25V时U2将输出保护控制信号，实现对 VQ1的保护。
这段话不太理解您可以帮我分析哈吗？谢啦

发表于 2012-4-25 23:14

这是个保护mos管的电路？
不太理解，什么原理，等待高手出来……

发表于 2012-4-26 14:36

短路保护电路希望哪位能更详细的解析下？
通过 R2和 C1解决 VQ2先导通带来的误动作信号问题？是应为放电延时？
当 VQ2，VQ1都导通后，此时U1的导通程度完全取决于 VQ1的导通压降？

发表于 2012-5-3 15:24

这个电路能实现么？求高手指点....

发表于 2012-5-3 15:46

短路后，Id增加，Ron增加，压降增加，光耦将压降信号送到短路保护电路。

发表于 2012-5-3 19:35

直接串个电阻检测不就行啦？搞这么复杂。

发表于 2012-5-4 05:52

串电阻会附加功耗

发表于 2012-5-17 10:40

请问下C2的作用是？

功率mosfet导通压降保护电路

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