SH79F328A Flash&EEPROM 应用指南

登录 · 发表于 2023-12-14 19:54

1. 概述
SH79F328A 是一种高速高效率 8051 可兼容单片机。在同样振荡频率下，较之传统的 8051 芯
片它有着运行更快速的优越特性。
SH79F328A 其 Flash&EEPROM 特性为：
 Flash 存储器包括 64 X 512Byte 区块，总共 32KB
 EEPROM 存储器 0～4KB 代码选项可选
 在工作电压范围内都能进行编程和擦除操作
 在线编程（ICP）操作支持写入、读取和擦除操作
 支持整体/扇区擦除和编程（SSP）
 编程/擦除次数：程序区：至少 100,00 次
类 EEPROM 区：至少 100,000 次
 数据保存年限：至少 10 年
 低功耗

SH79F328A 为存储程序代码内置 32K 可编程 Flash（Program Memory Block），可以通过在线
编程（ICP）模式和扇区自编程（SSP）模式对 Flash 存储器操作。每个扇区 512 字节。
SH79F328A 还内置最大 4096 字节的类 EEPROM 存储区用于存放用户数据，每个扇区 512 字节，
最多支持 8 个扇区。EEPROM 存储区位于 Flash 存储器，与程序存储区是共享的，举例说明：当
OP_EEPROMSIZE=0000 时，即 EEPROM 大小为 4KB，此时程序存储区的大小为 32KB-4KB=28KB；
当 OP_EEPROMSIZE=0100 时，即 EEPROM 大小为 2KB，此时程序存储区的大小为
32KB-2KB=30KB。

登录 · 发表于 2023-12-14 19:55

2. 控制寄存器
Flash&EEPROM 模块使用的所有控制寄存器如下表所示：

登录 · 发表于 2023-12-14 19:56

3. SSP 编程设置
3.1. Flash SSP 编程设置
若使用 SSP 功能对 Flash 进行擦除或者编写，首先需要将 FLASHCON 的 FAC 位置 0，然后设
置相应的 XPAGE，IB_OFFSET，IB_DATA（需要操作的地址和数据），再设置 IB_CON1，若 IB_CON1
为 0xE6，则相应的操作为扇区擦除，若 IB_CON1 为 0x6E，则相应的操作为存储单元编程。之后再
设置 IB_CON2 为 0x05，IB_CON3 为 0x0A，IB_CON4 为 0x06，IB_CON5 为 0x09 完成 Flash 的
整个操作。需要注意，SSP 扇区擦除操作不可选择 SSP 程序所在扇区作为操作对象。
特别地，若需要对特定扇区进行保护，防止 SSP 误操作，可在 Keil 中通过
“Options->Utilities->Settings->加密位…”路径设置 Sector 加密。其中，B0 加密对应 Flash 代码保护
模式 0；B1 加密对应 Flash 代码保护模式 1。Flash 代码保护模式详细介绍，请参照“SH79F328A
DATASHEET”。

EEPROM SSP 编程设置
若使用 SSP 功能对 EEPROM 进行擦除或者编写，首先需要将 FLASHCON 的 FAC 位置 1，然
后设置相应的 XPAGE，IB_OFFSET，IB_DATA（需要操作的地址和数据），再设置 IB_CON1，若
IB_CON1 为 0xE6，则相应的操作为扇区擦除，若 IB_CON1 为 0x6E，则相应的操作为存储单元编
程。之后再设置 IB_CON2 为 0x05，IB_CON3 为 0x0A，IB_CON4 为 0x06，IB_CON5 为 0x09 完
成 EEPROM 的整个操作。

登录 · 发表于 2023-12-14 19:58

3.2. Flash & EEPROM 控制流程图

发表于 2023-12-14 19:58

4 编程注意事项
为确保顺利完成SSP编程，用户软件必须按以下步骤设置：
(1) 用于代码/数据编程：
1. 关闭中断；
2. 根据地址设置 XPAGE，IB_OFFSET；
3. 按编程需要，设置 IB_DATA；
4. 按照顺序设置 IB_CON1 - 5；
5. 添加 4 个 NOP 指令；
6. 开始编程，CPU 将进入 IDLE 模式；烧写完成后自动退出 IDLE 模式；
7. 如需继续写入数据，跳转至第 2 步；
8. XPAGE 寄存器清 0，恢复中断设置。
(2) 用于扇区擦除：
1. 关闭中断；
2. 按相应的扇区设置 XPAGE；
3. 按照顺序设置 IB_CON1 - 5；
4. 添加 4 个 NOP 指令；5. 开始擦除，CPU 将进入 IDLE 模式；擦除完成后自动退出 IDLE 模式；6. 如需要继续擦除数据，跳转至第 2 步；7. XPAGE 寄存器清 0，恢复中断设置。(3) 读取：使用“MOVC A,@A+DPTR”或者“MOVC A,@A+PC”指令。(4) 对于类 EEPROM 区域对于类 EEPROM 的操作类似于 Flash 的操作，即类似上述(1)/(2)/(3)部分的描述。区别在于：1. 在对类 EEPROM 进行擦除、写或读之前，应首先将 FLASHCON 寄存器的最低位 FAC 位置 1。2. 类 EEPROM 的扇区大小可以通过 option 选择。注意：1. 系统时钟不得低于 200kHz 以确保 FLASH 的正常编程2. 当不需对类 EEPROM 操作时，必须将 FAC 位清 0

发表于 2023-12-14 19:59

5. FLASH/类 EEPROM 的烧写/擦除的超级抗干扰措施
1）在程序下载时，选择代码选项中的“enable LVR function”。
2）设置扇区时，对 XPAGE 写立即数。
3）在调用烧写或擦除函数前，置一个标志，比如 0A5H；在烧写或擦除函数中判断此标志是否
为 0A5H，否则清零此标志，退出函数。

发表于 2023-12-28 09:22

SH79F328A 是一种高速高效率 8051 可兼容单片机

发表于 2024-1-7 09:03

FLASH/类 EEPROM 的烧写/擦除的超级抗干扰措施这个十分重要

发表于 2025-8-30 14:34

SH79F328A 的 Flash 用于存储程序，EEPROM 存用户数据。编程前需解锁，Flash 按页擦除（每页 512 字节），EEPROM 按字节读写。擦写时禁中断，供电需稳定（4.5-5.5V）。用库函数操作，擦写后校验数据。注意擦写次数（Flash≥100 次，EEPROM≥10 万次），避免频繁操作同区域。

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