闪存的制程难以扩展到40nm以下，MCU制程在已经向更小制程迈进了，各个MCU厂家在选择列新存储器，集成到MCU中。
英飞凌 - 选择了阻变存储器RRAM（ReRAM），全称为电阻式随机存取存储器（Resistive Random Access Memory）。RRAM通过改变电介质的电阻来工作，在电介质上施加恰到好处的电压产生允许电流流动的细小导电丝，并能在高阻态和低阻态之间实现可逆转换。RRAM具有低功耗和成本低的优势。RRAM最大的缺点就是器件级变化性。
意法半导体 - 选择了相变存储器 (PCM：Phase-change RAM），也可以为PCRAM。PCRAM通过改变温度，让相变材料在低电阻结晶（导电）状态与高电阻非结晶（非导电）状态间转换。PCRAM具有低延时、寿命长，功耗低，抗辐照特性好等特点。PCM 是利用温度实现相变材料的阻值变化，所以对温度十分敏感，无法用在宽温场景。
瑞萨 - 选择了磁性存储器 （MRAM：Magnetic RAM），是一种基于隧穿磁阻效应的技术。MRAM读写次数无限，写入速度快、功耗低，和逻辑芯片整合度高等技术特点。MRAM临界电流密度和功耗仍需进一步降低。目前MRAM的存储单元尺寸仍较大且不支持堆叠，工艺较为复杂，大规模制造难以保证均一性。
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