FLASH 存储器4级读保护等级设置

发表于 2024-8-20 09:26

‒ LEVEL0
无读保护，可通过 SWD 或者 ISP 方式对 FLASH 进行读取操作。

‒ LEVEL1
FLASH 读保护，不可通过 SWD 或 ISP 方式读取。可通过 ISP 或者 SWD 接口降低保护等级到LEVEL0，降级后 FLASH 处于整片擦除状态。

‒ LEVEL2
FLASH 读保护，不可通过 SWD 或 ISP 方式读取。可通过 ISP 接口降低保护等级到 LEVEL0，降级后FLASH 处于整片擦除状态。

‒ LEVEL3
FLASH 读保护，不可通过 SWD 或 ISP 方式读取。不支持任何方式的保护等级降级。

发表于 2025-9-4 18:31

FLASH存储器的4级读保护等级设置是通过修改“选项字节”中的RDP位来实现的

发表于 2025-9-4 20:49

LEVEL 0为默认状态，无任何读保护限制。可通过SWD/JTAG调试接口、ISP工具或直接运行程序访问整个Flash内存和备份SRAM

发表于 2025-9-5 09:10

Level0在开发调试阶段，允许自由读写所有存储区域

发表于 2025-9-5 11:21

LEVEL 1禁止通过外部工具（如调试器、下载器）或从内部SRAM启动时访问Flash及备份SRAM，但允许芯片自身从Flash启动时正常读写

发表于 2025-9-5 13:43

LEVEL 1可通过ISP/SWD将保护等级降回LEVEL 0，但会触发全片擦除操作，导致原数据丢失

发表于 2025-9-5 16:11

LEVEL1可用于防止非授权读取固件代码，同时保留现场升级能力

发表于 2025-9-5 18:31

LEVEL 2相比LEVEL 1，进一步禁止从SRAM启动和JTAG调试功能，仅支持从Flash自举时的合法访问

发表于 2025-9-5 20:50

LEVEL 2一旦设置后无法通过常规手段降级，需预留IAP后门程序进行固件更新

发表于 2025-9-6 08:08

LEVEL 3适用于需要绝对安全的场合，如金融加密设备，通常需配合专用密钥或物理熔断机制才能解锁

发表于 2025-9-6 10:31

对于大多数应用，LEVEL 1或LEVEL 2已足够满足需求。LEVEL 3因不可逆特性，仅推荐用于一次性编程的场景

[软件资料] FLASH 存储器4级读保护等级设置

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