[方案相关] I/O口驱动,为什么一般都选用三极管而不是MOS管?

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suncat0504 发表于 2025-4-20 14:19 | 显示全部楼层
在I/O口驱动电路中,选择三极管(BJT)而不是MOS管(MOSFET)的原因通常与成本、设计复杂度、驱动需求以及应用场景有关--------------如果成本下来了,会不会改变?
暖茶轻语 发表于 2025-4-20 21:11 | 显示全部楼层
三极管的导通电压较低,适合单片机I/O口的驱动能力。此外,三极管的内阻较小,适合小电流负载。
Amazingxixixi 发表于 2025-4-24 15:14 | 显示全部楼层
学习一下啊!感觉有点知识慌了
夜晚有三年 发表于 2025-8-19 15:10 | 显示全部楼层
I/O 口驱动选用三极管,因它是电流驱动,匹配 MCU 输出的小电流信号,无需额外驱动电路;而 MOS 管是电压驱动,可能需电平转换电路,增加复杂性。此外,三极管开关速度适配普通 I/O 场景,成本更低,电路更简单。
AutoMotor 发表于 2025-8-30 16:16 | 显示全部楼层
三极管驱动I/O口,成本较低,驱动电流能力更强,适合简单电路。MOS管虽然功耗小,但驱动电流弱,成本也更高。
LLGTR 发表于 2025-8-31 20:12 | 显示全部楼层
三极管驱动电流能力强,成本较低,适用于需要较强驱动能力的I/O口。而MOS管驱动电流较弱,价格较高,一般用于低功耗或高阻抗应用。
hmcu666 发表于 2025-9-4 07:27 | 显示全部楼层
在高频、大电流和低导通电阻的场合,MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)相比其他晶体管更有优势。
小熊01 发表于 2025-9-5 23:41 | 显示全部楼层
三极管驱动简单,成本较低,而MOS管驱动复杂,成本高。
LLGTR 发表于 2025-9-6 18:32 | 显示全部楼层
高电压大电流场景下,MOS管表现优异,它能有效承受重载。
死不低头 发表于 2025-9-7 12:59 | 显示全部楼层
太高端了,我一般都是用IO驱动达林顿管或者缓冲芯片/光耦,如果需要更大负载能力再加继电器或者MOS管,
星闪动力 发表于 2025-9-8 21:28 | 显示全部楼层
三极管就像能调节水流大小的水龙头,而MOS管则是简单的开和关开关。
digit0 发表于 2025-9-10 16:40 | 显示全部楼层
小型电路中使用三极管,其电流放大能力足以驱动较小负载,适用性强。
芯路例程 发表于 2025-9-11 13:06 | 显示全部楼层
IO驱动能力有限,适合驱动小电流三极管,不适合驱动大电流的MOS管。
哪吒哪吒 发表于 2025-9-12 20:31 | 显示全部楼层
MOS管一般需要较大电流和较高电压来驱动电机。
V853 发表于 2025-9-13 12:28 | 显示全部楼层
三极管成本低,而MOS管成本高,功能也更复杂。
Moon月 发表于 2025-9-15 08:39 | 显示全部楼层
三极管因为便宜且能驱动电机,在电路设计中比其他元件更受欢迎。
PreWorld 发表于 2025-9-29 21:12 | 显示全部楼层
三极管能快速开关,适合高频应用。
明日视界 发表于 2025-10-2 13:51 | 显示全部楼层
这表明该I/O输出电流不够大,只能有效驱动小功率三极管,对大功率MOSFET则力不从心。
MintMilk 发表于 2025-10-4 12:49 | 显示全部楼层
电流小、速度快,适合驱动小电流元件;电流大、速度慢,不适于驱动大电流元件。
朝生 发表于 2025-10-4 15:19 | 显示全部楼层
在讨论单片机、电机、传感器等问题时,先确认具体问题,再探究原因,这样更有助于找到解决方案。
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