如何在STM32中实现Flash的块擦除和写入？

发表于 2025-2-28 23:54

STM32如何高效地进行Flash块擦除和写入操作，并避免重复擦写？

发表于 2025-3-1 07:35

STM32的Flash写入前需要先擦除，特别是NOR Flash结构的MCU，写入前不擦除可能会导致数据错误，你是要存配置数据还是固件升级？

发表于 2025-3-1 07:37

Flash的擦写次数是有限的，比如10万次左右，频繁擦写容易导致Flash寿命缩短，你是有高频率写入的需求吗？

发表于 2025-3-1 07:38

如果只是写少量数据，可以用EEPROM仿真技术，不需要每次都擦除整个块，你的应用场景适合这种方式吗？

发表于 2025-3-1 07:39

使用Flash写入时要确保CPU频率符合Flash编程要求，比如某些型号需要降低时钟才能正确写入，否则可能会写入失败或者异常。

发表于 2025-3-1 07:41

不同型号的STM32 Flash擦除粒度不同，比如F4系列是按扇区擦除，而G0系列是按页擦除，你用的N6系列是多大容量的Flash？

发表于 2025-3-1 07:42

如果你是做Bootloader升级，建议使用双分区（A/B）方案，避免升级过程中断导致固件损坏，这种方式你考虑过吗？

发表于 2025-3-1 07:43

写入Flash时要注意对齐问题，比如某些STM32型号要求4字节或8字节对齐，没对齐可能会引发HardFault，你有遇到类似问题吗？

发表于 2025-3-1 07:44

擦除Flash可能会影响MCU运行，尤其是在中断较多的情况下，建议在关键操作前禁用中断或者使用IWDG防止意外死机。

发表于 2025-3-1 07:46

如果想提高写入效率，可以使用DMA方式写入Flash，而不是CPU主动写入，这样可以减少CPU占用率，适合大数据量存储。

发表于 2025-3-1 07:47

ST官方的HAL库提供了HAL_FLASH_Program()和HAL_FLASHEx_Erase()函数，CubeMX也可以自动生成代码，你是打算用HAL库还是直接操作寄存器？

发表于 2025-3-16 01:22

你可以按照一页一页的方式写，就是数据攒成一页再写

发表于 2025-3-16 02:32

我记得一般flash读写是不是一次4页的操作啊

发表于 2025-3-16 03:42

避免重复擦写的话，我觉得你就得组包才行

发表于 2025-3-16 04:33

这个咋说呢，你先了解一下flash的操作结构，就应该差不多知道了

发表于 2025-3-16 05:32

高效的话，一般就是对擦除是一次四页擦除，写也是一页一页写就比较好了

发表于 2025-3-16 06:34

这种只要是数据是FF好像都可以直接写吧

发表于 2025-3-16 07:29

在RAM中维护一个缓冲区，将数据先写入缓冲区，待缓冲区满或需要保存时再进行Flash写入操作

发表于 2025-3-16 08:23

尽量将多次写入操作合并为一次批量写入，减少擦写次数

发表于 2025-3-16 09:23

Flash擦除的最小单位是页或扇区，避免擦除整个Flash块。在写入前，确保目标区域已被擦除

[STM32N6] 如何在STM32中实现Flash的块擦除和写入？