[技术讨论] 突然断电了,数据来不及保存到flash,你有什么绝招?

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xch 发表于 2025-5-27 09:50 | 显示全部楼层
dffzh 发表于 2025-5-27 08:49
24VDC供电,存到外置EEPROM芯片和MCU内部flash,在设计上会有什么区别吗?

问存储类型是需要算一下保存需要耗电多少,需要多长时间存储。不同存储器需求不一样。
问供电,要算外部电源切断到MCU供电电压跌落之间过渡时间。


xch 发表于 2025-5-27 09:54 | 显示全部楼层
另外要做好电源抗干扰措施。否则会经常“狼来了“,或者掉电时MCU被干扰跑飞,没完成存储进程而不是来不及存。
xionghaoyun 发表于 2025-5-27 10:05 | 显示全部楼层
电容给大 电阻分压ADC采集输入电压
xionghaoyun 发表于 2025-5-27 10:06 | 显示全部楼层
接外置供电=纽扣电阻
 楼主| dffzh 发表于 2025-5-27 10:39 | 显示全部楼层
xch 发表于 2025-5-27 09:54
另外要做好电源抗干扰措施。否则会经常“狼来了“,或者掉电时MCU被干扰跑飞,没完成存储进程而不是来不及 ...
确实,防止误写
 楼主| dffzh 发表于 2025-5-27 10:40 | 显示全部楼层
本帖最后由 dffzh 于 2025-5-27 10:42 编辑
xch 发表于 2025-5-27 09:50
问存储类型是需要算一下保存需要耗电多少,需要多长时间存储。不同存储器需求不一样。
问供电,要算外部 ...
细节把控,EEPROM和flash读写速度确实也不一样;感谢!
zjk103 发表于 2025-5-27 10:42 | 显示全部楼层
增大电源端的电容,设定较高的掉电电压门限,掉电中断优先级设定最高,增加电池或者法拉电容
 楼主| dffzh 发表于 2025-5-27 10:43 | 显示全部楼层
xionghaoyun 发表于 2025-5-27 10:05
电容给大 电阻分压ADC采集输入电压
外部电压检测是不是比MCU内部更加可靠?内部的触发阈值不太好界定?

评论

@xionghaoyun :好的,所以还是用数字量电平+消抖的方式来处理会比较好。  发表于 2025-5-27 14:37
是的 内部参加电压掉了读的ADC也是不准(就是单片机电源不稳 ADC电压不稳的)  发表于 2025-5-27 14:25
coody 发表于 2025-5-27 13:47 | 显示全部楼层
本帖最后由 coody 于 2025-5-27 13:48 编辑
dffzh 发表于 2025-5-27 08:53
用MCU内置的电压检测还是外置电路电压检测比较好?

响应最迅速的是检测220V AC,使用双向输入的光耦来检测,一般1ms内就知道断电了。
其次是DC24V、DC12V这种输入的电压端,使用比较器(可以是MCU自带的模拟比较器、运放)检测,输入24V则降到15V视为断电,输入12V则降到9V视为断电。再次是MCU内部检测VCC低压保存,这个风险最大,最不从容。
 楼主| dffzh 发表于 2025-5-27 14:07 | 显示全部楼层
coody 发表于 2025-5-27 13:47
响应最迅速的是检测220V AC,使用双向输入的光耦来检测,一般1ms内就知道断电了。
其次是DC24V、DC12V这种 ...
学习了,所以用220V源端电压来检测是否掉电是比较好的方式了,又快又准;
确实,使用MCU内部电压检测,阈值选择比较难,设得太低,触发时留给你的时间可能已经不够了;设得太高,可能在正常工作电压波动下就误触发。
飞思啦 发表于 2025-5-27 16:24 | 显示全部楼层
大电容给mcu,低电压报警时,写flash
dami 发表于 2025-5-28 09:16 | 显示全部楼层
小设备加个电容就行了。但掉电电路要能及时检测到掉电了并产生中断,然后电容供电去保存数据。
 楼主| dffzh 发表于 2025-5-28 10:56 | 显示全部楼层
丙丁先生 发表于 2025-5-28 07:04
字少了不全面,多了又影响楼层美观。

任何时候,最难把握的就是“度”
 楼主| dffzh 发表于 2025-5-28 10:58 | 显示全部楼层
dami 发表于 2025-5-28 09:16
小设备加个电容就行了。但掉电电路要能及时检测到掉电了并产生中断,然后电容供电去保存数据。 ...
能够稳定、快速且无误地判断出掉电信号,确实是这种功能实现的最重要环节。
 楼主| dffzh 发表于 2025-5-28 11:01 | 显示全部楼层
看到一位热心网友回复了使用FRAM的单片机,查了FRAM资料:FRAM(Ferroelectric Random Access Memory,铁电随机存取存储器)是一种结合了传统RAM(如DRAM、SRAM)和非易失性存储器(如Flash、EEPROM)特性的独特存储器。下面是不同存储器之间的对比信息:



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评论

@William1994 :是的哦,EEPROM的耐久性通常在100,000到1,000,000次写入操作之间。  发表于 2025-5-28 13:41
EEPROM的耐久性是10的六次方,铁电只有TI一家做。等三十年后清华的RRAM出来吧。 Flash不擦只写可以做到us级别。  发表于 2025-5-28 13:27
rgjinxuan 发表于 2025-5-28 13:15 | 显示全部楼层
LVD  检测
 楼主| dffzh 发表于 2025-5-28 13:42 | 显示全部楼层
LVD低电压检测技术。
rgjinxuan 发表于 2025-5-28 13:57 | 显示全部楼层
数据量不大可以

 楼主| dffzh 发表于 2025-5-29 08:40 | 显示全部楼层

是的,所以要实测flash擦除+写入的总时间。
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