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[STM32L4] STM32L431读写内部FLASH源码分享

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mnynt121 发表于 2025-9-14 09:13 | 显示全部楼层
在进行具体操作前，应仔细查阅相应的规格书或参考手册，了解STM32L431的具体配置。
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benjaminka 发表于 2025-9-14 09:32 | 显示全部楼层
擦写操作期间，建议关闭全局中断，以防止中断打断操作导致异常
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deliahouse887 发表于 2025-9-14 12:47 | 显示全部楼层
在写入数据后，建议读取数据并进行校验
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febgxu 发表于 2025-9-14 13:42 | 显示全部楼层
在进行FLASH操作时，应添加错误处理机制。
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primojones 发表于 2025-9-14 14:49 | 显示全部楼层
目标 Flash 区域必须已经被擦除（即内容为 0xFFFFFFFF）
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jkl21 发表于 2025-9-14 16:24 | 显示全部楼层
以页（Page）为单位，STM32L431每页2KB，共128页
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yeates333 发表于 2025-9-14 17:45 | 显示全部楼层
STM32L431支持半字（16位）和字（32位）编程方式。
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rosemoore 发表于 2025-9-14 18:13 | 显示全部楼层
写入过程中 ​​不能被中断打断              
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pmp 发表于 2025-9-14 18:41 | 显示全部楼层
如果多次操作失败，Flash 可能会进入“保护锁定”状态，需要复位 MCU。
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