STM8S207C8中的EEPROM和FLASH块擦和块写问题

发表于 2012-9-18 11:36

从STM8S207资料提供中得知，一块的大小为128个字节，但是我在使用当中，却只能将前4个字节擦除（即0x00),不知具体寄存器需要怎么配置，目前我配置如下：
FLASH->CR2 =0x61;// FLASH_CR2_ERASE;
FLASH->NCR2 = 0x90;//(uint8_t)(~FLASH_NCR2_NERASE);
用库中的宏定义，就会死机；
标准块编程的速度和字编程的速度差不多，编程很慢；FLASH寄存器编程配置和块擦除一样的，即：
FLASH->CR2 =0x61;// FLASH_CR2_ERASE;
FLASH->NCR2 = 0x90;//(uint8_t)(~FLASH_NCR2_NERASE);
在做STM8S的IAP编程，编程速度太慢了，升级一个50K的程序需要5分钟呀！太慢……
烦请高手指点，谢谢！

发表于 2012-9-26 17:45

自己顶下

发表于 2012-9-28 16:54

再顶

发表于 2013-3-20 01:52

问题咋样了

发表于 2013-4-22 18:05

jf20030916 发表于 2013-3-20 01:52
问题咋样了

现在用字写，速度相应的提高了一点点，块擦和块写还是不行

发表于 2013-4-22 18:39

看看技术手册会不会有一些技巧漏看了再仔细看看呗

发表于 2013-12-17 16:45

明显配置的有问题。标准块编程会自动擦除，又块编程又字编程，当然有问题了

发表于 2015-12-25 17:10

我有发表一篇关于stm8s FLASH块擦除和块写的解决方案：https://bbs.21ic.com/icview-1248584-1-1.html

[STM8] STM8S207C8中的EEPROM和FLASH块擦和块写问题

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