21ic电子技术开发论坛 › 综合技术交流 › 电源技术 › 关于反并联可控硅击穿
12
返回列表 发新帖我要提问

[开关电源] 关于反并联可控硅击穿

[复制链接]
7635|24
Siderlee 发表于 2012-10-7 12:46 | 显示全部楼层
17# Siderlee 有件郁闷的事是用示波器捕捉不到可控硅两端的波形，如图用示波器测得的是乱七八糟的波形，所以很多条件都不好判断呀。另外，如果真的是过流的问题，造成过流的可能原因是什么呢？可能是没有准确在过零 ...
holddreamair 发表于 2012-10-7 08:26


o(⊙o⊙)…
回复

收藏 举报

 楼主| holddreamair 发表于 2012-10-10 08:49 | 显示全部楼层
是过流的问题，是我检测电路的一个电容选择失误造成的。
谢谢大家的参与！
回复

收藏 举报

lintv 发表于 2012-11-17 22:32 | 显示全部楼层
从你的波形上看：单片机输出的三相触发信号有问题。
感性负载时，移相触发非常复杂，单片机高手也很难搞定。
建议改方案，采用专用移相触发芯片：TCA785，KC04，PTC7876，TC787等
回复

收藏 举报

blessdxp 发表于 2012-11-18 00:29 | 显示全部楼层
不就是原理图么，发上来看看，不用给你老板保密
回复

收藏 举报

power_qiu 发表于 2013-9-26 11:11 | 显示全部楼层
可控硅应用与技术讨论群：315490218
回复

收藏 举报

power_qiu 发表于 2013-9-29 21:17 | 显示全部楼层
首先确认电路板没问题，再考虑过压击穿或di/dt过大击穿或G-K过压过流击穿。过压击穿就是你说加RC,可以适当加大电容，减小电阻。di/dt过大击穿，可以串电感。G-K过压过流击穿，调整电路啦。这是我个人看法，仅供参考！
欢迎加人可控硅应用与技术讨论群：315490218
回复

收藏 举报

power_qiu 发表于 2013-10-9 11:30 | 显示全部楼层
看触发电路距离，是否触发距离比较远的一路烧掉。如果是这样的话，靠近触发端加个电阻和电容就可以啦。欢迎加入可控硅应用与技术讨论群：315490218
回复

收藏 举报

power_qiu 发表于 2013-10-24 15:38 | 显示全部楼层
可控硅应用与技术讨论群：315490218
回复

收藏 举报

12
返回列表 发新帖
高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

快速回复 在线客服 返回列表 返回顶部