双向可控硅的门极触发电流问题

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 楼主| xiaoxi06010027 发表于 2013-3-11 17:15 | 显示全部楼层 |阅读模式

请问各位,双向可控硅门极触发电流的灵敏度选择多大比较合适啊?选大好,还是选小点比较好?跟负载内阻有关系吗?跟门极电流对应的门极限流电阻该选多大啊?


附件是我的双向可控硅驱动电路,以及选用的双向可控硅规格书

加热器的规格是:加热丝,55W/220V


我这个电路是抄来的,总感觉对选用的参数不放心。

各位能否抽点时间,帮我看看这个电路中,触发电流选用多大规格比较合适?

门极限流电阻怎么计算参数(电阻值,功率)?






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maychang 发表于 2013-3-11 17:19 | 显示全部楼层
根据晶闸管datasheet选择。
chunyang 发表于 2013-3-11 20:11 | 显示全部楼层
可控硅的触发电流事实上是个电流的积分,合适的数值要看具体的型号,去查器件手册吧,注意取值不要极限,否则会影响可靠性和使用寿命。
 楼主| xiaoxi06010027 发表于 2013-3-11 20:16 | 显示全部楼层
chunyang 发表于 2013-3-11 20:11
可控硅的触发电流事实上是个电流的积分,合适的数值要看具体的型号,去查器件手册吧,注意取值不要极限,否 ...

请看下我的实际电路,和 负载,在Z01xx系列TO92规格中找,触发电流是该选择3mA,5mA,10mA还是25mA呢?选多大比较合适?

谢谢
chunyang 发表于 2013-3-11 20:19 | 显示全部楼层
在器件手册规定的范围内即可,触发电流越大,导通的越快,但过大的话可控硅容易老化,具体看器件手册跟你的具体电路关系不大。
 楼主| xiaoxi06010027 发表于 2013-3-11 20:25 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2013-3-11 17:19
根据晶闸管datasheet选择。

请具体对照下附件的规格说说看,好吗?谢谢
 楼主| xiaoxi06010027 发表于 2013-3-11 20:38 | 显示全部楼层
chunyang 发表于 2013-3-11 20:19
在器件手册规定的范围内即可,触发电流越大,导通的越快,但过大的话可控硅容易老化,具体看器件手册跟你的 ...

选的过小会不会误触发呢?
Lgz2006 发表于 2013-3-11 20:47 | 显示全部楼层
xiaoxi06010027 发表于 2013-3-11 20:38
选的过小会不会误触发呢?

考虑你是光偶驱动,选取小者为好(看光耦参数),注意留有足够余地
另在GK并一电阻甚至电容,可防误触发
chunyang 发表于 2013-3-11 21:11 | 显示全部楼层
xiaoxi06010027 发表于 2013-3-11 20:38
选的过小会不会误触发呢?

触发电流的大小与是否误触发完全无关,误触发来自非受控的触发电流或其它特殊因素。
 楼主| xiaoxi06010027 发表于 2013-3-11 21:35 | 显示全部楼层
chunyang 发表于 2013-3-11 21:11
触发电流的大小与是否误触发完全无关,误触发来自非受控的触发电流或其它特殊因素。 ...

我觉得在不考虑光耦的输出电流余量的问题,这个双向可控硅的触发电流选多大,电路都能工作的吧。
如果选择的触发电流是3mA,当门极电流大于3mA时双向可控硅一定会打开。门极电压是交流电,电压值能从0-220*1.414V。肯定有个值能触发双向可控硅。至于门极限流电阻,只要考虑光耦在交流电处于峰值时,光耦打开时的门极电流小于门极的最大电流IGM就可以了吧。公式即:(交流电有效电压*1.414-V光耦导通压降)/门极限流电阻<门极的最大电流IGM

上面我的分析对吗?
谢谢
 楼主| xiaoxi06010027 发表于 2013-3-11 22:08 | 显示全部楼层
chunyang 发表于 2013-3-11 21:11
触发电流的大小与是否误触发完全无关,误触发来自非受控的触发电流或其它特殊因素。 ...

请问,附件中的RCC电路该怎么设计啊?是不是只有感性负载才需要这个啊?阻性负载有必要也加这个电路吗?其中,RC的参数该怎么定呢?R阻值选多大?功率选多大?C的容量选多大?怎么调试呢?

谢谢
 楼主| xiaoxi06010027 发表于 2013-3-11 22:08 | 显示全部楼层
Lgz2006 发表于 2013-3-11 20:47
考虑你是光偶驱动,选取小者为好(看光耦参数),注意留有足够余地
另在GK并一电阻甚至电容,可防误触发 ...

请问,附件中的RCC电路该怎么设计啊?是不是只有感性负载才需要这个啊?阻性负载有必要也加这个电路吗?其中,RC的参数该怎么定呢?R阻值选多大?功率选多大?C的容量选多大?怎么调试呢?

谢谢
chunyang 发表于 2013-3-11 22:48 | 显示全部楼层
xiaoxi06010027 发表于 2013-3-11 22:08
请问,附件中的RCC电路该怎么设计啊?是不是只有感性负载才需要这个啊?阻性负载有必要也加这个电路吗? ...

纯阻性负载无须RC吸收电路。
chunyang 发表于 2013-3-11 22:52 | 显示全部楼层
xiaoxi06010027 发表于 2013-3-11 21:35
我觉得在不考虑光耦的输出电流余量的问题,这个双向可控硅的触发电流选多大,电路都能工作的吧。
如果选 ...

你的理解完全错误。双向可控硅的触发电流不是你想要多大就多大,而是有器件的设计参数决定,每个型号的可控硅的触发电流都有个范围。在器件准许的范围内,触发电流的大小决定着触发时间,也就是说可控硅的触发是个电流的积分,建议楼主去看看可控硅工作原理方面的文档。

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laoxu 发表于 2013-3-12 07:41 | 显示全部楼层
这么小的功率,55W220V,  有几mA电流,就能可靠触发,具体触发电流请参阅可控硅的型号及参数,一般触发电流控制在 5-20mA之间,电流大触发时间可短些,电流小需触发时间略为大一点,或多脉冲触发。
fstarx 发表于 2013-3-12 11:11 | 显示全部楼层

楼主的手册里面讲的是一系列的可控硅的参数
具体的触电流在手册里面已经做了很详细的注释,在里面注明了不同型号的电流选择规则,如上图中的Sensitivity

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ranyao70 发表于 2013-3-12 14:22 | 显示全部楼层
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power_qiu 发表于 2013-9-25 14:25 | 显示全部楼层
可控硅应用与技术讨论群:315490218
lumiao827 发表于 2014-2-10 08:58 | 显示全部楼层
学习了
lumiao827 发表于 2014-2-10 08:59 | 显示全部楼层
学习了
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