关于MOS管与NPN管的疑问，很有意思

发表于 2013-4-28 11:17

我最近，老是琢磨，为什么NPN管在饱和后，Vbe可以大于Vce，而NMOS管则VB必需要小于或等于VD呢？这是为什么呢？这个问题很有意思。不知道大家有何想法。

发表于 2013-4-28 11:33

“而NMOS管则VB必需要小于或等于VD呢”

没有这个“必需”吧？

发表于 2013-4-28 14:02

确实，高一点不会损坏的。:)

发表于 2013-5-3 16:42

1，NMOS那来的VB？
2，NMOS的饱和区是放大区

发表于 2013-5-3 17:14

楼上说的都对，
普通的NMOS管是将P衬底b直接与源极S直接短上的。

发表于 2013-5-3 22:37

NMOS的衬底一般是P型材料，而源极和漏极是N型材料，所以形成了PN结，为保证不使其导通，通常方法是将衬底接最低电位，
而PMOS刚好相反。
MOS其实是四端器件，不过一般的MOS管衬底B并没引出来，将它们按上面的方法和D或S端短接了。