ST的3STL2540提供双极性晶体管的成本优势和硅面积使用效率，同时兼具同等级MOSFET的能效，为设计人员提供一个节省空间的低成本电源管理和DC-DC电源转换器（DC-DC converters）解决方案。
3STL2540是一个-40V/-5A PNP晶体管，在完全饱和状态时，最大电压降（voltage drop）为200mV，基极电流（base current）仅为10mA。等效导通电阻仅为90mΩ，接近同等级超级逻辑层MOSFETs （super logic-level MOSFETs）的性能。
3STL2540的核心技术是ST的先进的双金属层平面基岛技术（base island technology），在0.2到10V的宽输出电压下，温度在摄氏-30°C到150°C范围内，连续高电流增益（consistently high current gain，hFE）至少保持在100，创下业界同类组件最低的导通损耗记录。高热效率封装PowerFLAT™仅0.6mm高，封装面积为2mm x 2mm，在最小的印刷电路板内实现高性能功率电路。
3STL2540现已量产。
关于STMicroelectronics
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