MOS管的RCD吸收回路电阻电容位置

登录 · 发表于 2013-11-29 10:40

我想请教一下.我用UC3843这种电流控制芯片来做BOOST电路，我看到TI的典型应用电路中,吸收回路是并联在MOS管漏极和地之间的,而另一个资料介绍flyback吸收回路时,明确提出,吸收回路要放在MOS管漏极和源极之间。请问，RCD到底该放在哪个位置呢~

发表于 2013-11-29 10:56

自己分析一下两种拓扑的工作原理和特性就知道了。

发表于 2013-11-29 15:55

实际上作用是一样的，只不过“另一个资料”考虑的更细致一点，避免Power MOS turn on的时候snubber capacitor放电产生尖峰触发CS保护。
IC一般内置前沿消隐或外置消隐电路，基本可以避开此尖峰，直接接到地也可以。
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LZ把“另一个资料”共享了吧。。。:lol

发表于 2013-11-29 18:56

资料不错可以共享一下吗楼主

发表于 2014-1-26 16:46

请问下，这个电路有两个吸收电路。。为什么要两个,一个不就可以了嘛？

发表于 2014-1-26 16:57

不知道，帮忙顶一下

[开关电源] MOS管的RCD吸收回路电阻电容位置

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