运放的失调电压从哪来的

发表于 2014-1-1 16:35

戈卫东发表于 2014-1-1 09:06
只要能达到你的目的，什么仪器无所谓。

好的，谢谢

发表于 2014-1-2 15:25

通过做实验可以确定的是前级差分两个管芯Q3和Q4的参数一致性对失调影响很大，现在失调的问题解决了，但是现在共模抑制比指标又不合格了，共模抑制比与R1、R2、R4及R5关系大么？

发表于 2014-1-2 15:52

14楼说是做集成的，其他楼看起来是分立件，难道说是用分离性能来评估集成？不靠谱。
把问题说清楚，电路图能多给就多给点。

发表于 2014-1-3 09:04

xukun977 发表于 2014-1-2 15:52
14楼说是做集成的，其他楼看起来是分立件，难道说是用分离性能来评估集成？不靠谱。
把问题说清楚，电路图 ...

我也是刚入这个行业，我们做的是薄厚膜混合集成电路，我觉得实质上与PCB板电路一样，只不过用的管芯更小，比PCB电路集成度稍高些，觉得应该偏分立多一些。

发表于 2014-1-3 09:53

像疯发表于 2014-1-3 09:04
我也是刚入这个行业，我们做的是薄厚膜混合集成电路，我觉得实质上与PCB板电路一样，只不过用的管芯更小 ...

这是你自以为。两者设计技术是完全相反的，不能相互验证。

发表于 2014-1-3 09:53

像疯发表于 2014-1-3 09:04
我也是刚入这个行业，我们做的是薄厚膜混合集成电路，我觉得实质上与PCB板电路一样，只不过用的管芯更小 ...

这是你自以为。两者设计技术是完全相反的，不能相互验证。

发表于 2014-1-3 09:59

xukun977 发表于 2014-1-3 09:53
这是你自以为。两者设计技术是完全相反的，不能相互验证。

我用的三极管和场效应管都是那种裸管芯，用陶瓷做为基板，并不是那种以硅片为基础的高集成度的芯片