器件
信息处理技术正在推动半导体产业进入更宽广的应用领域，器件的成本和性能将继续与互补金属氧化物半导体（CMOS）的维度和功能扩展密切相关。
应变硅、高介电金属闸极、多栅晶体管现已广泛应用于集成电路的制造，进一步提升器件性能的重点将在Ⅲ-Ⅴ族元素材料和锗。与硅器件相比，这些材料将使器件具有更高的迁移率。为了利用完善的硅平台的优势，预计新的高迁移率材料将在硅基质上外延附生。
3D设备架构和低功率器件的结合将开启“3D能耗规模化（Power Scaling）”时代，单位面积上晶体管数量的增加将最终通过多层堆叠晶体管来实现。
遗憾的是，互连方面没有新的突破，因为尚无可行的材料具有比铜更低的电阻率。然而，预处理碳纳米管、石墨烯组合物等无边包裹材料（edgeless wrapped materials）方面的进展为“弹道导体”（ballistic conductor）的发展提供了基础保障，这可能将在未来10年内出现。
多芯片的三维封装对于减少互联电阻提供了可能的途径，主要是通过增加导线截面（垂直）面积和减少每个互连路径的长度。
然而，CMOS或目前正在研究的等效装置（equivalent device）的横向维度扩展最终将达到极限。未来半导体产品的新机会在于：一是通过新技术的异构集成，扩展CMOS平台的功能；二是开发支持新一代信息处理范式的设备。
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