PIC18FxxJxx系列的不同型号FLASH寿命怎么相差那么大?

发表于 2007-5-25 21:03

PIC18FxxJ50是10000次,而PIC18FxxJ10/15就只有100次了.

发表于 2007-5-25 22:14

当年小RB的DRAM几乎统一全球, 有40几道工序, 用在服务器上设计寿命二十年, 后来韩棒改用十来道工序, 设计寿命就十年, 价钱掉一大块, 小RB就顶不住了. 

发表于 2007-5-26 08:31

擦写次数与其半导体的电子迁移能力有关,FLASH电路依靠贮存和释放电子来记录数据,擦写次数越多,残留电子越多,等残留电子数上升到一定比例时,存储单元就失效了.而为了节省成本,FLASH电路越做越小,储存电子的地方当然也越小,当小到一定程度时,残留电子数相当微量的变化都会极大影响存储效果.这就是为什么有的FLASH擦写次数可以做到100K而有些只能做到100.<br />18F*J*系列是18F的低成本版本,除了擦写次数之外,耐压也低了.

发表于 2007-5-26 12:48

同样都是18F*J*系列但寿命差那么大,应该是同样的工艺,不可能单独为了一个型号进行调整.

发表于 2007-5-29 11:29

同一款MCU,后缀不同,擦写次数也有区别,当然价格也不一样.有的规格书中会有说明.具体看情况.

发表于 2007-5-29 12:14

J系列的Flash工艺确实做过调整优化，另外，新的J11系列在芯片设计上也做了优化，功耗大大降低了。一切参数，以数据手册为准。

发表于 2007-5-30 18:29

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