STM32L051可以向内部FLASH一次写入16-bit的数据吗？

发表于 2015-7-3 17:15

如题。能否在一个32位地址开始连续写入若干个16位的数据。
void FlashHalfWord16Prog(uint32_t flash_addr, uint16_t data)
{
  /* (1) Perform the data write (32-bit word) at the desired address */
  /* (2) Wait until the BSY bit is reset in the FLASH_SR register */
  /* (3) Check the EOP flag in the FLASH_SR register */
  /* (4) clear it by software by writing it at 1 */
  *(__IO uint32_t*)(flash_addr) = data; /* (1) */
  while ((FLASH->SR & FLASH_SR_BSY) != 0) /* (2) */
  {
/* For robust implementation, add here time-out management */
  }
  if ((FLASH->SR & FLASH_SR_EOP) != 0)  /* (3) */
  {
FLASH->SR |= FLASH_SR_EOP; /* (4) */
  }
}

发表于 2015-7-3 19:28

自己写段函数，地址累加，写数据就可以了；

发表于 2015-7-4 14:03

mmuuss586 发表于 2015-7-3 19:28
自己写段函数，地址累加，写数据就可以了；

因为我们的数据是16-bit的（共16384个数据），想存入到内部flash的固定地址中。
但是我看STM32L051的手册中提及了写入只能按32-bit写入。如果是这样的话我每次必须先将2个数据合并（通过左移）。再写入。
而且我也写了一段函数试验了一下。看是否可以写入16-bit数据。
第一次写入：地址0x0800fff0, 数据0x1234;
第二次写入：地址0x0800fff2, 数据0x1234;
执行后，第一次正常。在相应地址空间可以看到数据，执行第二次时，进入hardfault.
相反，我将第二次写入改成：地址0x0800fff4, 执行时写入正常，可以看到相应数据。
所以，我就以此来判断每次地址累加必须为32-bit数据。

发表于 2015-7-4 14:24

songchenping 发表于 2015-7-4 14:03
因为我们的数据是16-bit的（共16384个数据），想存入到内部flash的固定地址中。
但是我看STM32L051的手册 ...

如果你的数据地址是连续的直接按照页写的方式就行了数据区域就是个字节流嘛

发表于 2015-7-4 14:39

myxiaonia 发表于 2015-7-4 14:24
如果你的数据地址是连续的直接按照页写的方式就行了数据区域就是个字节流嘛 ...

是连续的。
换句话说，我就是想在从地址空间中划出一块地址，分别存放从0到16383数据（32k byte）。现在就是在想地址累加是+2还是+4啊？
我还得再写段函数试验一下。

发表于 2015-7-6 09:20

songchenping 发表于 2015-7-4 14:39
是连续的。
换句话说，我就是想在从地址空间中划出一块地址，分别存放从0到16383数据（32k byte）。现在 ...

这个st应该提供了库函数的。。。如果是自己写闪存编程函数集，按你说就是可以按字编程，当然是地址+4了

发表于 2015-7-6 10:47

本帖最后由 diweo 于 2015-7-6 11:04 编辑

按照手册，确实不能一次写16位。我还以为和F1系列一样呢。

发表于 2015-7-6 11:14

diweo 发表于 2015-7-6 10:47
按照手册，确实不能一次写16位。我还以为和F1系列一样呢。

是的。我已经用代码测试过了。不能写入16位，地址必须按32位累加。

发表于 2015-7-6 11:25

手册里写的只能按word或者half-page进行写操作呢。

发表于 2015-7-6 12:22

amanda_s 发表于 2015-7-6 11:25
手册里写的只能按word或者half-page进行写操作呢。

是的。已经测试i过了。

发表于 2015-10-28 17:42

Read interface organized by word, half-word or byte in every area
• Programming in the Flash memory performed by word or half-page
• Programming in the Option bytes area performed by word
• Programming in the data EEPROM performed by word, half-word or byte
• Erase operation performed by page (in Flash memory, data EEPROM and Option
bytes)

发表于 2015-10-28 18:12

本帖最后由 songchenping 于 2015-10-28 18:14 编辑

xiaogui46 发表于 2015-10-28 17:42
Read interface organized by word, half-word or byte in every area
• Programming in the Flash memory ...

已经解决了。写入必须32bit。可以读取16bit.

发表于 2015-10-29 10:35

songchenping 发表于 2015-10-28 18:12
已经解决了。写入必须32bit。可以读取16bit.

我也遇到这个问题，本来以为可以8位16位都可以操作呢，捣鼓了一天，差点儿哭了

发表于 2015-10-29 20:45

应该不能写入16位，地址是按32位累加的

发表于 2016-4-13 16:02

手册不都写了，写必须字，读字节、半字、字都支持。

发表于 2016-9-2 10:09

擦除有没有page以外的方法啊？比如word half_word byte

[STM32L0] STM32L051可以向内部FLASH一次写入16-bit的数据吗？

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