MOS上电烧管子，怎么解决啊，电路如图所示，后面2000UF电容

只看该作者 · 2019-9-24 16:06

MOS上电烧管子，怎么解决啊，电路如图所示，后面2000UF电容，分析了好久没搞清楚哪位大神能指点一二

2万 · 2019-9-24 21:09

充电瞬间电容相当于短路呀楼主还是考虑加入缓充电阻

1万 · 2019-9-24 21:21

开关导通到电容充满电有3600J 能量消耗在MOSFET之上。
比如0.1秒充满电，36000W的功率。

1万 · 2019-9-24 21:59

先了解一下什么叫BUCK转换器。。。

只看该作者 · 2019-9-24 22:40

便宜的方案就是用NTC限流，上电的时候NTC温度低电阻大，可以阻止大电流冲击，工作一段时间NTC温度上升，电阻下降，自动降低功耗。
贵点儿的方案用电阻加继电器，电容没有电，电阻串联在回路里面限制对电容充电电路，电容电压上升到一定程度继电器导通短路电阻提高效率。

只看该作者 · 2019-9-25 00:35

king5555 发表于 2019-9-24 20:50
后面2000uF要吃电。Q1之S极再串联一电阻或NTC或限流回路。或者R32再并联电容，让后面电解慢慢充电。
或者上 ...

谢谢指点，串联一个电阻或NTC也想过，只是电路板已经定型了才发现的问题，有点麻烦。只能下一版本改了。R32并联电容也做过，只是软件调不好，留到以后软件调好了才能用。也想过电容直接改成小的算了，或者加电感抑制。真是难啊

只看该作者 · 2019-9-25 00:37

王栋春发表于 2019-9-24 21:09
充电瞬间电容相当于短路呀楼主还是考虑加入缓充电阻

我能想要么改小，要么增大容量，缓充电阻不知道怎么搞，第一次搞功率电路啊

只看该作者 · 2019-9-25 00:40

xch 发表于 2019-9-24 21:21
开关导通到电容充满电有3600J 能量消耗在MOSFET之上。
比如0.1秒充满电，36000W的功率。 ...

是的，估算过有这么大，不过只是上电那一次，之后就没有了，加个大容量的电容还是要的，。除非以后还有问题

只看该作者 · 2019-9-25 08:24

这个电路要工作在60V？
8050的Vceo是25V，Vcbo是40V；
8050导通时，R31压降接近60V，功耗是0.3W；
R33上压降接近45V，功耗1W，就是PWM驱动，功耗0805封装也受不了

只看该作者 · 2019-9-25 09:01

本帖最后由 tianxj01 于 2019-9-25 09:03 编辑

首先，直接接2000UF电容充电到60V，哪怕恒流100A，充电时间长达1200uS=1.2mS
再看MOS管工作功率极限区间，100uS级别，可扛100V-10A 100A-10V级别的线性区域。也就是开关期间最大功耗1000W。
所以，PWM启动，管子非炸不可。
用的管子50A P沟道的的栅极电容至少4000PF。
导通充电电阻=2K，不算另外的栅极电荷，你管子关闭沿时间长达=20uS。按照1KW最大功耗计算，你必须限流到30A才能让管子工作在安全区间。
另外关断斜坡达100uS，不知道你PWM频率是多少？
对于输出接电容的应用，这样简单的设计，明显不是一般的不合理。不要说这个管子，再大10倍都够呛。
输出必须增加合适的电感，以限制PWM对电容的充电电流，并且增加占空比连续变化的启动过程，以实现安全的恒流。同时，因为需要限流电感，则频率不能太低，低了则电感成本大大增加，因此，必须修改P MOS管驱动线路，提升MOS管开关沿速度。
至于驱动的管子8050是承受不了60V的，我这里暂且当你不是用的这个管子，是能够承受60V耐压的管子。

只看该作者 · 2019-10-31 09:21

tianxj01 发表于 2019-9-25 09:01
首先，直接接2000UF电容充电到60V，哪怕恒流100A，充电时间长达1200uS=1.2mS
再看MOS管工作功率极限区间，1 ...

这个管子只是上电炸，上电的时候PWM没开启

只看该作者 · 2019-10-31 09:21

解决了，关键核心的器件再也不用中国产的

只看该作者 · 2019-12-27 17:42

sjnh 发表于 2019-9-25 08:24
这个电路要工作在60V？
8050的Vceo是25V，Vcbo是40V；
8050导通时，R31压降接近60V，功耗是0.3W；

R33这个肯定要改啦，改大一点

MOS上电烧管子，怎么解决啊，电路如图所示，后面2000UF电容

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