求救 MOS管IFR3205发热严重怎么解决

只看该作者 · 2015-8-13 16:18

huayuliang 发表于 2015-8-11 20:24
说明驱动不足。。看看你的栅极波形吧。。

你好，你看看我传的GS波形，还是比较好的

只看该作者 · 2015-8-13 16:20

huangfeng2008 发表于 2015-8-12 10:23
有开关损耗的，导致温度升高. 看不到图啊，可以优化驱动和选导通电阻小的MOS ...

你好，请看负载波形，导通时，负载几乎12V，这是正常的；但是断开时，负载两端有2V压降，我比较怀疑这2V哪里来的。

只看该作者 · 2015-8-13 16:21

兰天白云发表于 2015-8-12 14:22
今天看就已经没图了

你好，图片我重新上传了

只看该作者 · 2015-8-13 16:21

beebeecici 发表于 2015-8-12 12:03
如果一直导通不发热，跟内阻就没关系，主要是开关损耗，要提高开关的速度 ...

1Khz的速度很快了吧

1万 · 2015-8-13 17:05

D3基本没起到作用，因为R9太大了，R9尽量改小点。

1万 · 2015-8-13 17:06

vlinux 发表于 2015-8-13 16:20
你好，请看负载波形，导通时，负载几乎12V，这是正常的；但是断开时，负载两端有2V压降，我比较怀疑这2V ...

图的右下角那根线连到哪里去了？可能是那边的电路影响。

1万 · 2015-8-13 17:45

vlinux 发表于 2015-8-13 16:20
你好，请看负载波形，导通时，负载几乎12V，这是正常的；但是断开时，负载两端有2V压降，我比较怀疑这2V ...

但是断开时，负载两端有2V压降，说明没有关断，要烧管子。

只看该作者 · 2015-8-13 18:09

vlinux 发表于 2015-8-13 16:21
1Khz的速度很快了吧

问题不在于开关频率而在于开关速度，即Ton到Toff还有Toff到Ton的时间，直观地说就是方波的上升还有下降陡不陡

1万 · 2015-8-13 18:13

本帖最后由 zyj9490 于 2015-8-13 18:22 编辑

vlinux 发表于 2015-8-13 16:15
你好，我把图片重新上传了次。
你看，负载波形还是比较好的，没有什么峰值。
另外GS之间的波形，显示了开 ...

单个波形显示出来。下降沿不理想。

2万 · 2015-8-13 18:15

开关波形边缘都成这样了，能不热吗

2万 · 2015-8-13 18:23

自己算一下10K的电阻，要让一个Qg=150nC的管子截止需要多长时？
电流不大的话，直接换一个Rdson大些但Qg小得多的管子，然后加大LED驱动电流，减小R9（或者加个下拉三极管）让开关速度快些。

1万 · 2015-8-13 21:59

本帖最后由 oldzhang 于 2015-8-14 12:55 编辑

问题不在导通电阻上，在GS的方波下降太慢。
从你的GS波形看，上升可以，下降太慢，加大了3205的损耗，驱动电路有问题，关断用10K的电阻，太大了。IRF3205的栅极输入电容>3000PF,栅极放电时常数RC>10K*3000PF=30uS，放电太慢了。
改用HCPL3150，FOD3150，VO3150A之类的光耦隔离驱动。驱动电流0.5A-1A，FOD3120驱动电流2.5A.
真有比IRF3205导通电阻低的NMOSFET:AP96T07AGP的指标比IRF3205高，75v，4.2毫欧姆的导通电阻.

只看该作者 · 2015-8-14 11:56

很明显是关断速度太慢，发热是肯定的，R9 10K太大

只看该作者 · 2015-8-14 14:05

D3、R9关断回路太大，时间太长导致发热严重！！

只看该作者 · 2015-8-16 14:23

设计先天不足。
脉冲驱动时由于驱动能力不足而导致mos管发热是常见现象。包括tlp521在内的多数光耦不具备这个驱动能力。
建议一：改用hcpl3180，这个光耦是专为驱动mos管设计的。
建议二：光耦后面用NE555做驱动，电路逻辑自己做一下吧。
当然还有其他的mos管专用驱动芯片。

至于截止时负载两端的2V电压，我猜你是在没带负载的条件下测的，不然截止时负载上的电压就应该为负值了。
如果我猜测没错，那这不是管子发热的原因。而这个现象的出现原因和那个10页的帖子一样，你大可不必去理会。

只看该作者 · 2015-8-18 11:13

lyjian 发表于 2015-8-13 18:23
自己算一下10K的电阻，要让一个Qg=150nC的管子截止需要多长时？
电流不大的话，直接换一个Rdson大些但Qg小 ...

你好，加大LED驱动电流有用吗？我不能理解。
现在我把10K电阻改成3.3K，发热几乎还是没什么变化

只看该作者 · 2015-8-18 11:14

oldzhang 发表于 2015-8-13 21:59
问题不在导通电阻上，在GS的方波下降太慢。
从你的GS波形看，上升可以，下降太慢，加大了3205的损耗，驱动 ...

你好，非常感谢回复
真的需要加大G极驱动电流吗，电压达到10V以上就够了吧，还需要要求电流吗？
目前我把10K改小了，但发热还是没什么改观。

只看该作者 · 2015-8-18 11:21

bald 发表于 2015-8-16 14:23
设计先天不足。
脉冲驱动时由于驱动能力不足而导致mos管发热是常见现象。包括tlp521在内的多数光耦不具备这 ...

非常感谢回复
现在基本上网友认为是MOS管关断时间太长造成的，但是除了改小那个10K电阻，还需要加大G极驱动电流吗？
10K电阻该成3.3K了，但效果没什么变化。

2万 · 2015-8-18 12:23

vlinux 发表于 2015-8-18 11:13
你好，加大LED驱动电流有用吗？我不能理解。
现在我把10K电阻改成3.3K，发热几乎还是没什么变化 ...

自己网上GOOGLE一个电路看看，有哪个是用K极的电阻来做下拉驱动的

只看该作者 · 2015-8-18 14:29

lyjian 发表于 2015-8-18 12:23
自己网上GOOGLE一个电路看看，有哪个是用K极的电阻来做下拉驱动的

应该几乎所有的下拉不会是K级别以下的吧，特别对于节能型设备，不可能下拉小电阻浪费电流。
一般三极管下拉是10K级别，这个MOS管下拉，我想3.3K应该是非常小了。
12V电流，3.3K下拉，已经有接近4MA电流浪费了。

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