国产Coolmos？

只看该作者 · 2010-12-22 17:00

众所周知，超结是西门子的专利，而西门子把功率器件独立为英飞凌，IR也好，仙童也好，都要向英飞凌买专利的，不知楼主买了没有？
PowerAnts 发表于 2010-12-21 22:29

超结应该是陈星弼的专利吧。。。。。
现在中国专利里边有多少超级的专利？不是都对infineon侵权了吧。。。。。

只看该作者 · 2010-12-22 17:01

哥最讨厌一些白痴来装专家了。。。。。。。
没事多看点书多好！！

2万 · 2010-12-22 17:06

呵呵，不说也就算了，即然还要扯，那就继续

超结的P+区、n-外延层和n+衬底形成的PIN二极管拖了后腿，由于体二极管与MOS反向并联，系统的短板在休二极管上，告诉用户这个二极管的性能才是关键。把这一点藏着，去列出MOS的部份，这有意义吗？

你们跟中南海有的一拼，CPI指数不管房价，只管盐巴

2万 · 2010-12-22 17:08

超结应该是陈星弼的专利吧。。。。。
现在中国专利里边有多少超级的专利？不是都对infineon侵权了吧。。。。。
zqingli 发表于 2010-12-22 17:00

不知道陈星弼收了INF多少利专费呢？

只看该作者 · 2010-12-22 17:09

管芯面积小，超结MOSFET的Eas会比常规的MOSFET略差，在有较大感性负载的电路中的耐冲击能力比常规MOSFET略弱:)

2万 · 2010-12-22 17:12

你是想说器件余量是吧，人家都说是190毫欧的标称，155毫欧的实测了，你还要留多大余量啊，你有没有实测过这个规格的管子啊。。。。。。:L
zqingli 发表于 2010-12-22 16:57

自已去看楼主的datasheet吧，典型值155mohm，最大值190mohm。

你说要别人看你的典型值呢，还是看最大值？

2万 · 2010-12-22 17:14

哥最讨厌一些白痴来装专家了。。。。。。。
没事多看点书多好！！
zqingli 发表于 2010-12-22 17:01

俺也非常讨烦胡弄用户的SB

只看该作者 · 2010-12-22 17:44

天地良心啊。。。你们几个吵什么哦。。我是不懂。。。我有错~~，但是麻烦2位别骂人~
zqingli 哥，你是哪位啊。。。离开好么？。。。。

只看该作者 · 2010-12-22 17:47

30# xinpian1 说的很对哦，超结在管芯面积上有很大的缩小，相比EAS能力要比常规的Mos要小一点。但是只要电路保护得当，是完全可以替代的。在价格方面，目前coolmos可能还要稍低一点。

2万 · 2010-12-22 17:51

超结适用于ZVS，一般不太可能承受高的dv/dt, 引线电感的储能，超级的Coss能解决，问题不大

只看该作者 · 2010-12-22 17:59

31# PowerAnts

我也不是很懂哈。。。我说下我实测的（我刚去测的），我特地跑去测的。英飞凌的SPP20N60C3 Ron=161mohm 162mohm 我测了5颗~~~NCE20N65 我也测试了5颗 Ron=158mΩ、153mohm在这个范围。所以蚂蚁你说的我就看不懂了，我标称其实也是写的155 最大值也是190 这个好像也在范围内啊。。。

2万 · 2010-12-22 18:38

这一款手头暂时没有，拿到了再说吧，只要在范围内，一般都说的过去。
问题怎么讨论都行，学问是在讨论中得到提高。
给俺提意见的人，俺会感激，注意我签名最下一行的中间链接吧。
俺这人很怪，不惹俺什么都好说，要是有人先动口骂人，俺骂的比他还难听。

只看该作者 · 2010-12-22 20:42

呵呵，不说也就算了，即然还要扯，那就继续

超结的P+区、n-外延层和n+衬底形成的PIN二极管拖了后腿，由于体二极管与MOS反向并联，系统的短板在休二极管上，告诉用户这个二极管的性能才是关键。把这一点藏着，去列出 ...
PowerAnts 发表于 2010-12-22 17:06

明明人家都注明了是MOS管的dv/dt，还说人家想隐藏。。。
给你看个infineon的datasheet，从infineon的官网上下的，infineon是不是也是骗人的啊.......
为啥infineon可以这么写，国人的产品就不能这么写。。。。

只看该作者 · 2010-12-22 20:47

自已去看楼主的datasheet吧，典型值155mohm，最大值190mohm。

你说要别人看你的典型值呢，还是看最大值？
PowerAnts 发表于 2010-12-22 17:12

我很好奇LZ的datasheet上标的典型值155实测也是155有什么问题？难度datasheet和产品一致也是错吗？
我只测过11A的infineon的产品，datasheet上典型值是340，测下来就是340；
如果测试出来和datasheet上差别很大，要么买了假货，要么该校正一下测试机台了。。。

只看该作者 · 2010-12-22 20:54

本份些吧，这个是BJT的特性，MOS嘛至少降一个数量级

47521
PowerAnts 发表于 2010-12-21 11:53

附件是Fairchild的20A supermos（也就是fairchild的coolmos）人家的coss相同测试条件下写的75.9；LZ的datasheet上写的95，都会被指责为虚报一个数量级。。。。。

只看该作者 · 2010-12-22 21:04

俺也就是个路过，看到真的不爽才回帖的，骂人是有点冲动，但我更气的是大家看不起国人产品的心态；
国人能敢去尝试做超结产品，不管结果好坏，大家都应该抱着一种平和的心态去面对，超结是中国人发明的东西，虽然卖给了西门子，但后来还和陈老打官司，貌似陈老还输了。。。。；外国人拿着中国的点子去赚中国人的钱，还有一片中国人叫好，这是所有中国做技术的人的悲哀。如果中国做技术的人对自己国家的产品抱着完全否定的态度，那技术的差距就会越来越大，中国永远只停留在做劳动密集型的层次，商品的控制权只能掌握在那些所谓的国际先进厂家手里。。。。。。。。

2万 · 2010-12-22 21:24

首先，我是看到楼主在说：

一项是RDS，和规格书上相差无几都为150mΩ上下（25°C，ID=1A,Ugs=12V。规格书标190mΩ）

发觉有点不对劲，这么大的管子用1A去测出150mohm，感觉这个阻值的管子电流不会小，用1A测出来的值肯定不对，才去下他的datasheet，发现测试条件是10A，典型值是155mohm，而我还知道电流小了阻值还会更小，所以提出阻值比典型值偏大了，这个不应该？

至于说超结是中国人的专利，请看：
1988年，飞利蒲的D.J.Coe就横向高压MOS采用pn结申请美国专利；
1993年，陈星弼就纵向高压MOS采用pn结的思想申请美国专利；
1995年，西门子J.Tihanyi就纵向高压MOS采用pn结的应用申请美国专利；
1997年，Tatsuhiko统一超结理论
1998年，西门子推出第一代超结MOS
这些时间，陈在做什么？原来是卖了个想法啊，人家申请应用专利你咬别人啊
专利卖给谁了？卖西门子？卖就卖了，拿了钱要回头找买家打个什官司？有点赌品没有啊？
（官司的事不懂，不多说了）
最后一句，不要拿爱国主义来忽悠技术人，时间是最好的检验员，三年后再定论，国内做MOS的看多了

2万 · 2010-12-22 23:23

刚才有事走开了，现在，把石头的原子拆开再重组成金子，谁去申请个专利？将来等美国人搞出来了，这个也是中国人发明的

2万 · 2010-12-22 23:48

3楼，俺承认俺是弄错了，MOS在100V条件下确实Coss和Crss比25V和50V小了一个数量级。

4楼，俺没弄错，仙童把体二极管和MOS的dv/dt分开标出，INF只标出体二极管的，很小，这个可以提醒使用者小心应付。而这个贴的贴主所传的“新功率”，则只标了MOS部份的，这明显是为了一个漂亮的数据，后面隐藏的是什么？比另两家更小的体二极管dv/dt耐量？为何羞羞答答不肯示众？

对楼主说声抱歉，若不是有个鸟人进来乱骂，我不会追问到底，不过如果这个方式可以让楼主找到你们有用的数据，加入datasheet，也未必不是一场好事。

2万 · 2010-12-22 23:49

国产Coolmos？

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