本帖最后由 tyw 于 2018-7-31 15:29 编辑
各位大神：这个是TI 的AM335X 参考设计PCB上关于PCB阻抗控制的截图。这个PCB上有AM3358(CPU)+DDR3 跑到接近1G主频吧。
请问：
1.这个edge-coupled differential 是不是就指的是普通的差分对啊？edge-coupled differential字面翻译 是边缘耦合的差分
2.这里同一层的差分对特性阻抗既有90欧姆，又有100欧姆。我的理解是，PCB的层叠设计相同的情况 下，调节差分对的线宽线距，分别得到90欧姆和100欧姆的特性阻抗，
是这样的吗？
3.线宽5.5mil 4.75mil 线距6.5mil，现在的板厂能制作到这么精确吗？我感觉不行，那这种线宽线距的设计还有什么意义呢？
4.表格里面，单端阻抗控制有50欧姆，差分对阻抗控制有90欧姆和100欧姆。我猜测，50欧姆大概是DDR3的单端走线阻抗控制，而100欧姆是DDR3差分对的走线阻抗控制，90欧姆估计是USB2.0的差分对阻抗控制。我的猜测正确吗?
5.上面那个表格应该是工程师在设计PCB的时候自己算出来的吧？这种复杂的估计板厂应该不给进行阻抗设计吧
本人菜鸟一枚，感谢各位大神。
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