[DCDC] mc34063电路结构的对比

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 楼主 | 2019-10-3 22:12 | 显示全部楼层 |阅读模式
如图
微信图片编辑_20191003220731.jpg

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 楼主 | 2019-10-3 22:13 | 显示全部楼层
如上图,两个电路结构的差别只是一个电容而已,可是实测的效率却是反激结构要比sepic结构的效率高3-5个点;
输入是4.5-20v,输出是5-12v 3a;

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| 2019-10-4 16:36 | 显示全部楼层
4.5V外置的MOS管容易驱动不够。

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伟林电源 2019-10-4 18:44 回复TA
目前还好,没发现驱动不足,现在是想讨论一下两个拓扑结构的差异,为什么会出现这样的现象? 
| 2019-10-4 20:23 | 显示全部楼层
变压器是1:1么?

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 楼主 | 2019-10-4 21:13 | 显示全部楼层
是的,两个电感都是47uH,1:1并饶,除了耦合电容外,其他都是一样的。

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| 2019-10-4 21:43 | 显示全部楼层
本帖最后由 king5555 于 2019-10-4 21:48 编辑

为何有加入电容的变成SEPIC。如果都又加入尖峰吸收回路的情形又如何。
有电容的在初级圈释能时,也跟着拉到电源里的电流。

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伟林电源 2019-10-4 22:02 回复TA
是的,所以此时电容损耗很大,而且,还要同时兼顾漏感能量。 
| 2019-10-4 22:25 | 显示全部楼层
你没画输入电容,实际真的没有么?

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伟林电源 2019-10-4 22:37 回复TA
前面是接的A-D输出电容端,所以没有特意去加滤波电容。 
| 2019-10-4 22:27 | 显示全部楼层
双线并绕,会有很大的初次级电容,用SEPIC电路时,可能使34063工作状况恶化,大概是它的效率变差的原因之一。。。

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伟林电源 2019-10-4 22:43 回复TA
这个应该不是主要原因,我个人分析是采用sepic电路结构,磁能迟滞造成磁损增大,耦合电容电流损耗增大,因为实测的对比结果也是电容与磁环的温升差别很大。(可能是因为共用一个磁体的原因),有机会我分开两个磁芯来测试一下。 
| 2019-10-5 10:25 | 显示全部楼层
似乎SEPIC本来就不会对效率有贡献。。。。

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伟林电源 2019-10-5 22:48 回复TA
正常理解,sepic耦合电容能利用漏感能量,应该来说会比flyback更高效率才对,难道都消耗在电容自身上? 
| 2019-10-5 16:22 | 显示全部楼层
电容材质的问题,换陶瓷电容会好很多

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伟林电源 2019-10-5 22:46 回复TA
这点我同意,成本也会贵很多。 
| 2019-10-6 09:11 | 显示全部楼层
如果反激的初级加上吸收电路,看看效率会下降多少。同样,第二个图的电容会有高频大电流,损耗发热会降低效率。

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| 2019-10-7 11:15 | 显示全部楼层
戈卫东 发表于 2019-10-4 22:27
双线并绕,会有很大的初次级电容,用SEPIC电路时,可能使34063工作状况恶化,大概是它的效率变差的原因之一 ...

有文献专门研究过SEPIC紧耦合状态,由于电感电容同电压相位差关系,列出输入电流公式,则其总输入电流是漏感的函数,更小的漏感会带来更大的输入电流,只有当漏感到一定程度,公式才和独立电感近似。最后的结论就是效率变差。
双线并绕,则是最紧的耦合,可以想象,则该是一个最差SEPIC状态了。

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| 2019-10-13 13:56 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2019-10-7 11:15
有文献专门研究过SEPIC紧耦合状态,由于电感电容同电压相位差关系,列出输入电流公式,则其总输入电流是 ...

不是说耦合电感的效率比分立的要好么……

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