mcu 高频驱动mos

只看该作者 · 2023-8-7 17:43

本帖最后由 457878 于 2023-8-7 17:48 编辑

如图，mcu IO口直接2.4MHz驱动mos（IO拉灌能力为±25mA），波形如图：1.输出幅度Vpp达不到预期80V（示波器看只有40V而且不稳定）
2.mos管发烫

只看该作者 · 2023-8-8 10:13

IO驱动不足

只看该作者 · 2023-8-8 12:29

本帖最后由春风路过于 2023-8-8 13:49 编辑

发图也不发全图

只看该作者 · 2023-8-8 13:27

低压驱动高压电路，最好上网搜一下，这个电路不对。

只看该作者 · 2023-8-8 13:46

本帖最后由 zlf1208 于 2023-8-8 14:07 编辑

1. 波形振荡成这样了还想把电压升上去？
2. 这样的驱动波形，MOS管发热是正常的。

单片机直接用2.4MHz的方波是无法驱动MOSFET的，加一个栅极驱动器吧。

2万 · 2023-8-8 16:01

加个驱动IC吧，高速（超过1KHz）驱动MOSFET，直接IO驱动电流不够的。你的栅极电压上升沿、下降沿小于0.1us（你周期才0.417us），如果是0.1us上升沿、0.1us保持高电平，0.1us下降沿，0.1us保持低电平，差不多就是2.4Mhz了。

只看该作者 · 2023-8-8 17:51

本帖最后由 zlf1208 于 2023-8-9 08:35 编辑

看你的波形，MOS管开启没问题，关闭的时候出了问题，是MOS管GD间的电容引起的，振荡过程描述如下：

MOS管关闭后，D极电压开始上升，GD间电容的电压不能突变，随之G极电压被拉高，导致MOS管再次导通，导通后D极电压下降，G极电压也下降，MOS管又关闭，周而复始，形成振荡。

原因搞清楚了，要解决问题，就要从这个电容着手，现在我暂时没想到好的办法。先下班回家了。