本帖最后由 hxcnz 于 2013-12-10 11:34 编辑
我们用的一个 IGBT 驱动电路在实际使用过程中会经常遇到 IGBT 烧毁的情况，即C、E两脚间直通，一般是发生在直流电机开启的瞬间，电路是这样的(图1)：
图中 AG1 即使用的 IGBT，型号为：FGA25N120ANTD。另，这个 IGBT 的工作时的开关频率约为 7.1kHz，采用 PWM 方式控制直流电机的转速。
图1
起先分析是直流电机的电感产生高压，D9 来不及续流，导致 IBGT 两端电压过高而击穿，后来我们把 D10 换成了 RC吸收电路，如 图2，但做的四块板子中还是有1块板子上的 IGBT 烧毁。
图2
这块驱动板的工作环境是这样的，+220V 这个节点是由市电 220V 经整流桥整流，再经 220uF 电解电容 + 104 CBB电容滤波后得到的一个 311V 左右的电压，J5 上接了一个 220V 的直流电机，电机参数为：
电压：220V
电流：3.6A
功率：600W
转速：2000RPM
直流电阻：6.8~7.0Ω(万用表测量)
大家帮忙分析下这两个电路中的IGBT是过压击穿的可能性大还是过流击穿的可能性大？我个人感觉问题可能出在过流上，311V / 6.8Ω = 45.7A ，若电机启动瞬间达到50A以上的话，则可能会超过 FGA25N120ANTD 的额定电流(50A)，继而烧毁 FGA25N120ANTD，不知是否有道理？请大侠指点。
另，RC吸收电路是否有必要？如果把 图1 中的 D10 换成 TVS瞬态抑制二极管的话，能否起到保护 IGBT 的作用(即不加 RC缓冲电路)？以防止 IGBT C、E 两端电压过高。
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