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[电子元器件]

关于POWER MOS管和普通MOS的区别

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leshak|  楼主 | 2014-6-19 09:49 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, Power, ip, PowerMOS, 电平
本帖最后由 leshak 于 2014-6-20 10:22 编辑

      电路如附件，当EN_MIIPWR保持一直LOW的时候，Q1不导通，保持一直HIGH的时候，Q1导通。
当EN_MIIPWR时一个有频率的方波信号，高电平时间为15MS，低电平时间为900MS
测试出来的VCC5波形很奇怪，感觉Q1 的开关速度明显有延时。
朋友说要用POWER MOS管，请问下大侠POWER MOS和普通MOS有什么区别嘛？
谢谢。



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沙发
leshak|  楼主 | 2014-6-19 09:50 | 只看该作者
奇怪，好像图片上传不了

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板凳
maychang| | 2014-6-19 09:51 | 只看该作者
电路如附件？？？

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地板
shalixi| | 2014-6-19 10:10 | 只看该作者
POWER MOS管和普通MOS的区别之一是Ron差别大。

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5楼
戈卫东| | 2014-6-19 11:27 | 只看该作者
通常电流大的管子栅极电容也大

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6楼
鸟鸟| | 2014-6-19 12:45 | 只看该作者

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7楼
leshak|  楼主 | 2014-6-20 16:52 | 只看该作者
我找了个IRLML6402和SI2301的规格书比较了下
感觉参数都差不多啊。



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8楼
leshak|  楼主 | 2014-6-20 16:53 | 只看该作者
奇怪，怎么上不了图片

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9楼
leshak|  楼主 | 2014-6-20 17:03 | 只看该作者


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10楼
leshak|  楼主 | 2014-6-24 08:41 | 只看该作者
结贴也结不了，图也上不了，好奇怪啊

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