求教:F28335写入外部SRAM 发现 数据线 D10 D11自动取反了

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 楼主| jimingming123 发表于 2015-9-3 13:11 | 显示全部楼层 |阅读模式
小弟 自己做了一块 F28335的最小系统板,现在正在测试,今天调试外部接口XINTF RAM(用的是IS61LV25616) 发现我向外部RAM(首地址0x100000)写入数据时,D10 D11位自动取反了,比如我写入 0x1111,结果写到RAM地址中的就是0x1D11,
即      0x 0001 0001 0001 0001
结果   0x 0001 1101 0001 0001
我试了好几组数据,都是这样子,硬件上查着没问题,D10 D11管脚也是直接连到 IS61LV25616的数据脚。小弟很是不解,各位有什么好的分析 求指导 先谢啦
zhangmangui 发表于 2015-9-3 14:25 | 显示全部楼层
我觉得像是硬件的问题    多试几组数据    如果一直是这两位地址  
我觉得可能这两位被强制拉高了
 楼主| jimingming123 发表于 2015-9-3 19:57 | 显示全部楼层
本帖最后由 jimingming123 于 2015-9-3 21:28 编辑
zhangmangui 发表于 2015-9-3 14:25
我觉得像是硬件的问题    多试几组数据    如果一直是这两位地址  
我觉得可能这两位被强制拉高了 ...
谢谢您
 楼主| jimingming123 发表于 2015-9-3 20:20 | 显示全部楼层
本帖最后由 jimingming123 于 2015-9-3 21:30 编辑
zhangmangui 发表于 2015-9-3 14:25
我觉得像是硬件的问题    多试几组数据    如果一直是这两位地址  
我觉得可能这两位被强制拉高了 ...

问题解决了  我仔细查了一下  我两个口的 DSP 芯片处虚焊了  导致 RAM 10 11 一直处于高电平  非常感谢您  焊接技术不到家
zhangmangui 发表于 2015-9-3 22:11 | 显示全部楼层
jimingming123 发表于 2015-9-3 20:20
问题解决了  我仔细查了一下  我两个口的 DSP 芯片处虚焊了  导致 RAM 10 11 一直处于高电平  非常感谢您  ...

好吧    这种问题好解决
robter 发表于 2015-9-4 09:25 | 显示全部楼层
很好的经验,值得学习
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