weihualong 发表于 2011-3-3 07:17

如何用两个N mos管串联以提高耐压？

如题，可以加一些辅助电路

weihualong 发表于 2011-3-4 07:18

是不是太简单了，串联虽然解决了Vds的耐压，但Vdg的耐压仍然没有解决。

airwill 发表于 2011-3-8 13:50

这样子不行哦, 如果 VCC 超过一个管子的耐压点, 在截至时, Q6 首先击穿, Q6 -S 电压上升, 于是 Q6 的Vgs出现反压, 通常这个反压是受限制的, 不超过 20V, 电压再升高, Q6 的GS 首先会击穿导致损坏.
所以合理的电路, 要让 Q6的 控制电压浮置(相对与 Q6 的 S极).

cgkdxx 发表于 2015-5-7 22:02

用隔离变压器驱动？

whtwhtw 发表于 2015-5-8 10:22

串联能提高耐压吗？微观上讲，总有一个mos先导通，然后击穿另一个mos管，再击穿这个MOS管。
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