2018年LDO关键词：无输出电容，快速瞬态响应！

发表于 2018-7-26 14:14

2018年的LDO发展特点：

1，低压低功耗

今年有人做到了0.4V，430nA静态电流。

28nm工艺，面积是0.0055mm^2,ΔVout有点大，111mV

发表于 2018-7-26 14:21

本帖最后由 xukun977 于 2018-7-26 14:23 编辑

2,除了超低功耗，大多数LDO都要求无输出电容，于是多采用自适用补偿技术：

这个电路静态电流是60nA,输入电压范围0.9--3.6V(典型值1.8V），输出0.87+-5%

3，大多数LDO都要求超快的快速响应能力，下图这个电路建立时间是19nS:

瞬态性能测量结果：

发表于 2018-7-26 14:26

第4个特点是数字辅助电路，模数混合设计，数字电路继续侵蚀模拟电路的地盘：

发表于 2018-7-26 14:31

5，保持低压低功耗，快速瞬态，无电容，数字辅助外，高PSRR和SR也是常规要求：

发表于 2018-7-27 08:44

表示一张图也看不懂。

发表于 2018-9-26 18:47

不是无输出电容ＣＬ。

谢谢大家！　

而是有了输出电容ＣＬ，这个ＬＤＯ能否稳定的问题。

看来，CL= 50pF，还是比较问题的。

作为负责任的设计和测试，应该给出一个最大的CL电容。

例如能否驱动一个CL=1nF的负载呢？

电路的设计，使用了共源输入，标准的差动放大，使用了电荷泵，而且还有对于输出的增强作用。

负反馈关系成立。

虚短和虚断也就成立了。

开环放大倍数比较小，负载扰动的“过冲”比较大。

使用负载电容，看似是有利的。

但不是通常的LDO的输出电容的RC补偿。

这个反馈放大电路，属于高速低精度型。

再次感谢大家！

发表于 2018-10-20 18:15

容性负载跟常驻电容对电源的影响是一样的，这倒不假。但也有分别，分别就是空载稳定性。。

2018年LDO关键词：无输出电容，快速瞬态响应！

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