华大hc32F170,怎么用Flash模仿EEPROM使用呢?

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 楼主| itv1860 发表于 2020-12-29 16:16 | 显示全部楼层 |阅读模式
最近项目用到华大hc32F170,做掉电保存数据,想使用Flash模仿EEPROM,参考了HDEE5例程,不成功。有哪位大神可以做出来的?请指点一二。
Candic12e 发表于 2022-12-8 12:03 | 显示全部楼层
如果用flash模拟eeprom的话,估计有点麻烦呢
Charlene沙 发表于 2022-12-8 13:15 | 显示全部楼层
其实flash要使用之前,需要解锁的
Estelle1999 发表于 2022-12-8 14:21 | 显示全部楼层
最好还是eeprom的,可以按字节方式写入
Emily999 发表于 2022-12-8 15:33 | 显示全部楼层
那你就选择个flash型号,然后对其进行操作呗
Alina艾 发表于 2022-12-8 16:37 | 显示全部楼层
你是想用华大MCU内部的flash啊?
alxd 发表于 2022-12-8 18:00 | 显示全部楼层
他家有提供内部flash进行操作的demo了么?
Betty1299 发表于 2022-12-9 07:03 | 显示全部楼层
你看看芯片手册,看看内部flash如何解锁的和上锁的,就行了
B1lanche 发表于 2022-12-9 08:14 | 显示全部楼层
其实flash是按照页写入的,如果你的变量有些频繁的写入之类的,就不适合使用flash的
Carina卡 发表于 2022-12-9 10:21 | 显示全部楼层
你看看华大其他系列的MCU也是可以滴,就有对MCU的flash操作例子就行
Belle1257 发表于 2022-12-9 12:54 | 显示全部楼层
我不是很建议使用内部flash当做存储使用,有风险,操作还慢,不值得
wubangmi 发表于 2022-12-9 13:21 | 显示全部楼层
FLASH模拟EEPROM,只是个算法而已。你自己就可以写,那是拿空间换寿命的东西。
eefas 发表于 2023-1-5 11:49 | 显示全部楼层
直接写入flash就行。
              
jimmhu 发表于 2023-1-5 15:00 | 显示全部楼层
hc32F170的flash空间很大吗?
albertaabbot 发表于 2023-1-5 16:16 | 显示全部楼层
怎么按照块数据进行写入呢?              
sdCAD 发表于 2023-1-6 15:22 | 显示全部楼层
为什么不使用外部flash芯片呢?
ulystronglll 发表于 2023-1-6 18:07 | 显示全部楼层
这个还需要模拟EEPROM的吗?
Pretext 发表于 2023-1-28 11:13 | 显示全部楼层
不好弄,因为Flash和EEPROM还是有一些区别的。读写方式不同。
sagade 发表于 2023-1-30 09:37 | 显示全部楼层
掉电保存数据,PVD检测到掉电后,难道是写入flash太慢了?
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