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尛舞icc · 发表于 2021-4-6 13:28

本帖最后由尛舞icc 于 2021-4-19 11:09 编辑

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caigang13 · 发表于 2021-4-7 09:34

不推荐将内部flash作为EEPROM使用

尛舞icc · 发表于 2021-4-7 10:40

caigang13 发表于 2021-4-7 09:34
不推荐将内部flash作为EEPROM使用

不能这么用那这个芯片就没法用了少个功能我看挺多人这么用的

ayb_ice · 发表于 2021-4-7 15:59

找官方驱动吧

尛舞icc · 发表于 2021-4-7 16:21

ayb_ice 发表于 2021-4-7 15:59
找官方驱动吧

官方的看过了，没看懂.

ayb_ice · 发表于 2021-4-7 16:24

尛舞icc 发表于 2021-4-7 16:21
官方的看过了，没看懂.

别人的也不定看的懂

maxking · 发表于 2021-4-7 21:37

用官方的优化得了。我分析了2天，总算明白了一些。

zhu^zhu · 发表于 2021-4-8 08:39

MM32-FDS里有模拟EEPROM的例程。我们的应用里大量地使用了这个例程。

shymaster · 发表于 2021-4-8 09:53

就是普通的flash操作，先读出要写入所在页的数据，然后页擦除，再写数据，如果要写入的位置已经擦除可以直接写。

linguanghua · 发表于 2021-4-8 14:23

各种32都一样，flash是按页擦除，只有数据为0XFF时才能正确写数据。可以在写前检测数据是否为0XFF，是就可以写数据，不是就先擦除本页。
为了保证速度和寿命，建议做一些专门的算法。

[MM32软件] 111111111111