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[电源电路] 半桥MOS管驱动

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 楼主| 发表于 2021-11-30 13:58 | 显示全部楼层 |阅读模式
MOS管, 电容, 隔离, 芯片, 电压, 栅极
各位大拿，之前看过半桥驱动芯片外围都加了一些自举电容才能驱动高边MOS管电压，最近看了一份图纸，MOS管驱动没有加自举电容，直接栅极隔离12V驱动，上管MOS D极接200V，这种设计不加自举电容，能驱动NMOS管吗
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发表于 2021-12-12 20:48 | 显示全部楼层
隔离的  
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发表于 2021-12-13 16:48 | 显示全部楼层

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发表于 2021-12-13 19:07 | 显示全部楼层
隔离式驱动，受控点是 栅源两极，跟 漏极 无关。
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点评

NK6108
漏极电压跟栅极电位 从来就不相干。  发表于 2021-12-13 19:23
NK6108
跟 源极电位 也无关，那就甭自举了。  发表于 2021-12-13 19:09
发表于 2021-12-13 19:19 | 显示全部楼层
NK6108 发表于 2021-12-13 19:07
隔离式驱动，受控点是 栅源两极，跟 漏极 无关。

因 栅源两极 皆受控，所以，Ugs 跟源极电位 无关 ！
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