NAND 时序解读

登录 · 发表于 2012-5-28 17:23

本帖最后由 mindshare 于 2012-5-28 17:29 编辑

所谓的Timing无非就是指在读写等操作时，对各种控制信号/数据等动作先后顺序的一种规范/规定，只有符合规范/规定才能正确/成功的操作。所以，要理解一种设备/器件的时序，先要了解这个设备/器件有哪些控制信号/数据信号。
下面我们就先看一下NAND Flash的控制信号/数据信号

CE--任何操作之前，片选必须先使能
WE--有效时表示执行写操作
RE--有效时表示执行读操作
因为NAND Flash总共只有8根数据线，而NAND flash操作时有命令/地址/数据三类数据需要在数据线上传输，为了区分这三种类型的数据，所以，需要CLE/ALE来区分
CLE--有效时，数据线上的数据代表命令
ALE--有效时，数据线上的数据代表地址
ALE、CLE都无效时，数据线上的数据代表普通数据
RY/BY -- Ready/Busy状态信号，指示当前器件是空闲，还是繁忙

具体意义看下图

登录 · 发表于 2012-5-28 17:32

各种操作，CLE,ALE，CE,WE，RE,WP信号应该处于的状态

注意写操作时，是WE上升沿时执行，而读操作时是在RE下降沿时执行

登录 · 发表于 2012-5-28 17:34

本帖最后由 mindshare 于 2012-5-28 17:36 编辑

各种操作的命令

以ID Read和AutoBlockErase为例，看图

登录 · 发表于 2012-5-28 17:39

接下来，了解一下NAND Flash具体的时序参数规范/规定，如下图表

先解释一下图表中下面几个的意义：
tCLS – CLE Setup Time – 命令锁存使能信号有效到开始有效操作(读写)命令之间CLE持续有效的时间，CLE建立时间
tCLH – CLE Hold Time – 有效操作(读写)命令结束到命令锁存使能信号变为无效之间CLE持续有效的时间，CLH保持时间
tCS – CE Setup Time – 片选使能信号有效到开始有效操作(读写)之间CE持续有效的时间，CE建立时间
tCH – CE Hold Time – 有效操作(读写)结束到片选使能信号变为无效之间CE持续有效的时间，CH保持时间
tALS – ALE Setup Time – 地址锁存使能信号有效到开始有效操作(读写)地址之间ALE持续有效的时间，ALE建立时间
tALH – ALE Hold Time – 有效操作(读写)地址结束到地址锁存使能信号变为无效之间ALE持续有效的时间，ALH保持时间
tDS – Data Setup Time – 数据有效到开始有效操作(读写)数据之间Data持续有效的时间，data建立时间
tDH – Data Hold Time – 有效操作(读写)数据结束到数据变为无效之间data持续有效的时间，data保持时间

所谓Setup Time 和 Hold Time请参看下图：

登录 · 发表于 2012-5-28 17:43

下面给出各种操作完整的时序图，大家对照之前的解释分析分析：）

发表于 2012-5-28 17:45

我是做pcb线路板的，打样30元起。联系人：黄生 18923790736.QQ171651687.http://shop70562910.taobao.com淘宝网店。请多多关照！

登录 · 发表于 2012-5-28 17:48

给出一张自己在实际的驱动中，用逻辑分析仪抓的图片，太多了，只传一张：）

登录 · 发表于 2012-5-28 17:51

其他逻辑分析仪抓的时序见附件

发表于 2012-6-26 09:50

谢谢！

发表于 2012-6-26 23:09

不错

发表于 2012-6-30 17:01

很厉害膜拜

发表于 2012-8-28 15:24

学习了 ,谢谢!!!

发表于 2012-8-28 15:29

学习了 ,谢谢!!!

发表于 2012-9-5 11:43

xuexi

发表于 2012-10-14 21:57

终于把最简单的一引些常识明白了。:$

发表于 2012-11-1 12:08

分析的够透彻，顶

发表于 2012-11-5 09:54

楼主强大，学习了

发表于 2012-11-5 13:56

来学习

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