英飞凌的CoolSiC这么厉害吗？

发表于 2025-7-15 11:07

英飞凌新一代CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术将主要性能指标提高20%，具体是通过改进沟槽栅技术的哪些结构或工艺参数来实现这一提升的？

发表于 2025-7-30 12:59

那必须性能指标非常完美

发表于 2025-7-31 10:53

改进沟槽栅技术是非常有必要的

发表于 2025-8-31 23:53

第二代器件通过缩短沟槽深度，同时收窄沟槽宽度

发表于 2025-9-29 22:12

最大工作结温提升至 200℃：G2 可在 200℃ 结温下累计运行 100 小时，相比 G1 的 175℃，提供更大的结温裕量，支持过载条件下的开发设计。

发表于 2025-9-30 07:11

G2 采用特殊晶面取向，将 SiC-SiO₂ 界面态密度和氧化层陷阱降至最低，确保沟道载流子迁移率最大化，从而降低导通电阻（Rdson）。

发表于 2025-9-30 08:21

通过非对称深 P 阱形成增强型体二极管，增强抗浪涌能力，同时减少反向恢复电荷（Qrr），降低开关损耗。

发表于 2025-9-30 09:10

G2 在 G1 基础上进一步缩小元胞尺寸，结合纵向掺杂形貌优化，使单位面积导通电阻（Rdson*A）降至业界最低，单芯片最低可达 7mΩ。

发表于 2025-9-30 10:33

提供 7mΩ 至 78mΩ 的 9 档产品，档位划分更细腻，满足不同应用需求。

发表于 2025-9-30 11:43

通过优化寄生电容（如输入电容 Ciss、输出电容 Coss、反向传输电容 Crss），显著降低优值系数（FOM），包括：Rdson*Qg：降低驱动电路损耗。Rdson*QGD：减少硬开关应用中的损耗。Rdson*Eoss：降低轻载工况下的损耗。Rdson*QOSS：优化软开关应用中的损耗。

发表于 2025-9-30 13:13

1200 V 单管产品采用改进的.XT 扩散焊，焊料层厚度降低，结壳热阻比标准焊接技术减少 30%，比 G1.XT 技术减少 7%，散热性能更优。

发表于 2025-9-30 14:54

在降低导通电阻的同时，G2 仍保持 2μs 短路时间，通过精心调制的退饱和电路实现快速关断，确保系统可靠性。

发表于 2025-9-30 15:08

很不错的工艺提升

发表于 2025-9-30 15:14

增强的抗寄生导通能力，允许单极驱动（0V 栅极电压），简化设计并提高对抗米勒效应的可靠性。

发表于 2025-9-30 16:35

极小的 VGS(th) 和传输特性离散性，结合较低的负温度系数，增强并联操作的可靠性和易用性。

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