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施密特触发器的应用——多谐振荡器
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利用施密特触发器可以构成多谐振荡器。其电路如图3所示。
图 3 用施密特触发器构成的多谐振荡器
接通电源瞬间，电容C上的电压为0V，输出vO为高电平。vO通过电阻R 对电容C 充电，当vⅠ达到VT+时，施密特触发器翻转，输出为低电平，此后电容C又开始放电，vⅠ下降，当vⅠ下降到VT-时，电路又发生翻转，如此周而复始而形成振荡。其输入、输出波形如图10.10.4所示。
图4 施密特触发器构成的多谐振荡器的波形
若在图3中采用的是CMOS施密特触发器，且VOH≈VDD，VOL≈0，根据图.4的电压波形得到振荡周期计算公式为
T =T1+T2
当采用TTL施密特触发器（例如7414）时，考虑到输入电路对电容充放电的影响，电阻R不能大于470Ω，以保证输入端能够达到负向阈值电平。R的最小值由门的扇出数确定（不得小于100Ω）。对于典型的参数值（VT-=0.8V, VT+=1.6V，输出电压摆幅为3V）,最大可能的振荡频率为10MHz。
