MOSFET和IGBT区别

eefas · 发表于 2025-8-11 19:59

MOSFET 适合需要快速开关的中小功率场景；IGBT 适合低频大电流的工业和能源领域。

youtome · 发表于 2025-8-11 20:07

若需高频开关（>50kHz）或低压应用（<600V），优先选MOSFET；若为高压（>600V）、大电流场景且对开关速度要求不高，IGBT更合适

maqianqu · 发表于 2025-8-11 20:16

当追求高速切换、高频应用、低成本时，优先选择MOSFET；当面对高压、大电流、高效率需求时，优先选择IGBT。

albertaabbot · 发表于 2025-8-11 20:25

选MOSFET：若应用场景为低压（≤1000V）、高频（＞100kHz）、小电流，且对开关速度和效率要求高（如消费电子电源）。
选IGBT：若应用场景为高压（≥600V）、中低频（＜20kHz）、大电流，且需兼顾耐压和成本（如工业变频器、新能源逆变器）。

hudi008 · 发表于 2025-8-11 20:34

MOSFET导通时的电压降较低，导通损耗较小，但开关损耗可能较高。
IGBT导通时的电压降较高，导通损耗较大，但开关损耗较低，特别是在中低开关频率范围内。

rosemoore · 发表于 2025-8-11 20:43

IGBT 虽开关速度低于MOSFET，但支持高电压、大电流场景，硬开关频率可达100kHz

saservice · 发表于 2025-8-11 20:54

MOSFET：由源极、漏极和栅极组成，通过改变栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。MOSFET分为N沟道和P沟道两种类型，每种类型又分为耗尽型和增强型。
IGBT：由发射极、集电极和栅极组成，是MOSFET和双极型晶体管（BJT）的复合结构。通过控制栅极电压来控制集电极和发射极之间的电流。

xiaoyaodz · 发表于 2025-8-11 21:06

MOSFET的栅极与源极之间有绝缘层，输入阻抗非常高，驱动功耗小

phoenixwhite · 发表于 2025-8-11 21:16

MOSFET开关频率可达数百kHz甚至MHz，而IGBT因少数载流子存储效应，开关频率通常低于20kHz

lzbf · 发表于 2025-8-11 21:28

IGBT的驱动电压和电流要求较高，设计时需考虑驱动电路的匹配和稳定性

vivilyly · 发表于 2025-8-11 21:40

IGBT在高频运行时发热量大,开关速度较慢，高频运行时开关损耗大，需要良好的散热设计

abotomson · 发表于 2025-8-11 21:49

MOSFET 在低至中等功率的应用中更具优势，适用于高频开关、便携式设备和电池驱动设备等。

sdlls · 发表于 2025-8-11 21:58

MOSFET开关速度快，工作频率可达几百kHz至几十MHz，适合高频应用

jackcat · 发表于 2025-8-11 22:08

MOSFET是“高频低压小电流专家”，IGBT是“高压大电流中频主力”。

kkzz · 发表于 2025-8-11 22:17

MOSFET基于场效应原理，通过栅极电压控制源漏极间的导电沟道

[技术问答] MOSFET和IGBT区别