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H桥电路与复杂很像中国汉字“「日」”字，如果去掉上下电源与底线，电路结构与英文字母“「H」”相似。在电路两边上下各自放置了四个由功率晶体管组成的“「电子开关」”，负载（通常是功率器件：比如电机）横亘在左右电子开关中间。电路网络结构与 「惠斯通电桥」[2] 相同。左右两个组开关被称为两个半桥。
▲ H-桥电路基本结构功率电子开关（Q1,Q2,Q3,Q4）通常使用双极性功率三极管，或者场效应（FET）晶体管。特殊高压场合使用绝缘栅双极性晶体管（IGBT）。四个并联的二极管（D1，D2，D3，D4）通常被称为钳位二极管（Catch Diode），通常使用肖特基二极管。很多功率MOS管内部也都集成有内部反向导通二极管。H-桥电路上下分别连接电源正负极。 四个功率开关可以通过驱动电路被控制打开（Open）或者闭合（Close）。本质上四个功率管的开关状态组合应该有种，但只有其中几种不同的组合才能够真正安全用于负载供电控制。 桥电路可以控制很多负载，但通常情况下会使用脉宽调制（PWM）驱动波形来为直流电机、双极性步进电机等进行高效控制。
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