自带Flash能不能顶替外部存储？

发表于 2025-4-21 07:21

日志、参数长期频繁写，内置Flash是不是会早挂？

发表于 2025-4-21 07:27

G0好是好，就是Flash不能乱用。

发表于 2025-4-21 07:28

你有加电源掉电检测吗？Flash写一半断电最惨。

发表于 2025-4-21 07:29

小数据建议做个缓存，不要每次都写。

发表于 2025-4-21 07:29

Flash写入之前得擦除，不然容易报错。

发表于 2025-4-21 07:30

你写的时候有对齐页边界吗？这很关键。

发表于 2025-4-21 07:31

G0的Flash寿命不是太高，几千次吧？

发表于 2025-4-21 07:32

你要频繁写不如加个外部EEPROM。

发表于 2025-4-21 07:33

我之前写坏了一块板子，就因为写太频。

发表于 2025-4-21 07:34

看起来是EEPROM仿真功能？这个得小心。

发表于 2025-4-21 07:35

建议加个写频率控制，比如定时批量写。

发表于 2025-6-10 13:01

STM32G0的自带Flash在一定条件下可以顶替外部存储，但针对日志、参数长期频繁写的场景，内置Flash存在寿命风险，需通过技术手段优化

发表于 2025-6-10 14:00

可以用STM32G0的自带Flash在数据量较小、写入频率不高的场景下，可以顶替外部存储。例如，存储少量的配置参数、用户数据等

发表于 2025-6-10 16:00

通过将数据分布在不同的Flash地址上，避免单一地址过度磨损，从而延长Flash寿命

发表于 2025-6-10 20:30

数据压缩与优化，减少实际写入量，降低Flash磨损速度

发表于 2025-6-10 22:33

使用自带Flash可以节省硬件成本，降低系统复杂度，提高数据访问速度

发表于 2025-6-10 23:00

自带Flash的容量有限，且写入/擦除次数有限（通常约10万次），对于需要大量存储或频繁写入的应用场景，可能无法满足需求。

发表于 2025-6-11 08:00

通过将数据分布在不同的Flash地址上，避免单一地址过度磨损，从而延长Flash寿命。

发表于 2025-6-11 10:00

分区域写入，避免频繁擦除，例如STM32G0系列一页Flash的容量是2KB，可以在同一页Flash里的逐个区域保存数据，直到使用完一整页，才擦除整页，这样可以延长擦写寿命

发表于 2025-6-11 13:30

STM32G0系列利用内部Flash模拟EEPROM，通过智能编程策略，如分区域写入，避免频繁擦除，可以有效延长Flash的擦写寿命至640万次以上

[STM32G0] 自带Flash能不能顶替外部存储？