可控硅控制单相交流电机正反转，击穿

登录 · 发表于 2013-11-25 11:30

本帖最后由 tyw 于 2019-11-10 11:46 编辑

采用这种电流控制结构，电机里面串联了行程开关，试验的时候，发现总会有可控硅击穿，表现为A1，A2，G电阻为0。
有时候连光耦也是被击穿短路。

可控硅用的是BTA40 800V的，电动机功率200W以下。

初步判断是行程开关关断瞬间，电感的反电动势击穿了可控硅。

请问怎么用示波器可靠观察反电动势的大小？

发表于 2013-11-25 11:33

示波器用隔离变压器带

发表于 2014-2-21 09:21

解决了吗，我现在也在研究这个

发表于 2014-2-21 09:23

示波器去掉那个接地端就行

登录 · 发表于 2019-11-10 10:44

本帖最后由 dream2020杭州于 2019-11-10 10:46 编辑

Jack20130904 发表于 2014-2-21 09:21
解决了吗，我现在也在研究这个

原理图与楼主一样可控硅瑞萨BCR16PM 370W 单相异步电机移项电容16uF ; 验证结论，移相电容通过两可控硅放电，瞬间dI/dt 超出限值；导致击穿；移相电容回路串联14uH 空心电感；完美解决；

发表于 2019-11-10 10:48

移相电容回路串联空心电感

发表于 2019-11-12 08:57

dream2020杭州发表于 2019-11-10 10:44
原理图与楼主一样可控硅瑞萨BCR16PM 370W 单相异步电机移项电容16uF ; 验证结论，移相电容通过两 ...

谢谢您的指导。

可控硅控制单相交流电机正反转，击穿

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