关于MOS管的电阻问题。

我对MOS管的电阻问题头疼不是一天两天了
1，VGS大于导通电压，当VDS足够大MOS管进入恒流区的时候，D,S两端的电阻还是不是导通电阻？很大还是很小？
2，MOS管的导通电阻是一个很重要的参数吗？为什么？
3，MOS管通常工作于什么区？可变电阻区还是横流区？

这问题多问童老师

2# sfpxfpcfp
课本上感觉还是不怎么明白，呵呵
我想请教下你，导通电阻单纯指的是VGS够大时的电阻么？恒流区时RDS是叫导通电阻不？如果是，为什么都说MOS管的导通电阻很小？

to LZ：

1）当 Vgs > Vt ，且 Vds > Vgs - Vt 时，MOSFET 处于饱和区（近似表现为受控电流源）。在此状态下DS两端的微变电阻很大，直流电阻是个变数。

2）MOS管的导通电阻（Ron）是其处于变阻区（Vds < Vgs -Vt）时所呈现的最小直流电阻，此电阻越小表明过电流的能力越大。

3）MOS可以工作在截止、变阻和饱和三区中的任何一个，具体视应用而定。

mos要看你用在什么场合，有的工作在放大区，有的工作在饱和区，放大区电阻可以控制，饱和区电阻值基本不变

mos要看你用在什么场合，有的工作在放大区，有的工作在饱和区，放大区电阻可以控制，饱和区电阻值基本不变
blessdxp 发表于 2012-5-16 08:13

MOSFET（以NMOS为例）的三个“工作区”一般称为：

1）截止区（Vgs < Vt），基本无电流（Ids = 0）。

2）饱和区（Vgs > Vt 且 Vds > Vgs - Vt），近似呈现为受（Vgs）控电流源。

3）变阻区（Vgs > Vt 且 Vds < Vgs - Vt），靠近Vds~Ids原点处近似呈现电阻特性，其电阻值受控于Vgs。

这个最好要看曲线。
电阻可以分为静态电阻和动态电阻，前者也就是表现电阻，就是当前的电压除电流；后者是切线电阻、微分电阻，是局部变化很小的电压除上对于的电流变化。
无论静态电阻和动态电阻，都是随工作点而变化的。

这个最好要看曲线。
电阻可以分为静态电阻和动态电阻，前者也就是表现电阻，就是当前的电压除电流；后者是切线电阻、微分电阻，是局部变化很小的电压除上对于的电流变化。
无论静态电阻和动态电阻，都是随工作点而变 ...
lymex 发表于 2012-5-16 08:54

如果工作在后者的话，MOS管的功耗应该怎么计算？

7# lymex
如果工作在后者的话，MOS管的功耗与导通电阻有什么关系，怎么计算，使用电流平方去乘以什么电阻

6# HWM
如果工作在后者的话，MOS管的功耗与导通电阻有什么关系，怎么计算，使用电流平方去乘以什么电阻

to 10L：

若MOSFET导通（处在变阻区），其功耗就是按导通电阻损耗计算，即 Id^2 Ron。

11# HWM
那如果处在恒流区呢？

11# HWM
那如果处在恒流区呢？
堂堂菜鸟 发表于 2012-5-17 10:17

“恒流区”（即饱和区）呈受控电流源特性，输出特性图（Uds~Ids）中为一接近水平的横线。饱和区通常是作为线性小信号放大用。

如果MOSFET是用于开关作用，则基本只会在截止和变阻区间跳跃。

14# HWM
‘我现在不明白的一点就是，工作在恒流区，流过MOS管的电流没变化，这时候的功耗是电流方乘以导通电阻还是那个特别大的电阻
？

15楼：
都不是。
应该拿此时的电压乘此时的电流。

to 15L：

在“恒流区”时，其管耗用管电流（Id）乘管压降（Uds）计算。因为此不是个单纯的电阻，故不能用I^2 R计算。“那个特别大的电阻”是“恒流区”中那个非理想受控电流源的输出阻抗，不同于一般意义的直流电阻。

“如果MOSFET是用于开关作用，则基本只会在截止和变阻区间跳跃”

3）变阻区（Vgs > Vt 且 Vds < Vgs - Vt），靠近Vds~Ids原点处近似呈现电阻特性，其电阻值受控于Vgs。

在变阻区，阻值不就是规格书上写的Ron吗？
为何还说“其电阻值受控于Vgs”？

to 19L：

“变阻区”顾名思义自然其电阻会变（近似正比于 Vgs - Vt ）。Ron 则是 Vgs 在一定值下的 Rds（具体看相关器件的数据手册）。

不错，看了略有心得。