RAM,ROM的区别，地址数据总线，控制总线。
1.RAM是一种掉电会丢失数据的可读可写的存储器。//其实题目上写的是外扩ram，但很多时候我们很少来外扩ram， 都是外扩各种外围器件，比如ADC,DAC，等等等
2.ROM是掉电不丢失，只读的存储器。
3.51单片机P0口是低8地址和数据总线复用。P2口是高8位地址总线。
4.数据总线是用来传输数据的，地址总线是用来选择地址的，51单片机地址总线是16根，也就是外扩最大内存为 2^16=64K;
5.控制总线就是单片机发出的各种控制信号线，比如读写时序产生WR/RD，低8位地址锁存信号线ALE等...
然后我们进入正题。如果是学过单片机原理的小伙伴们应该知道这两个操作指令 MOVX,MOVC,如果用我们用汇编写外扩RAM、ROM，就是用这两个操作指令，当出现这两个操作指令的时候，单片机的相关引脚就会产生对应的时序，这样我们把相关外扩器件与之相连的时候，就不用去管时序的问题了。
MOVX A,@DPTR //读外扩ram，产生读时序，由WR/p3.6产生
MOVX @DPTR,A //写外扩ram，产生写时序，由RD/p3.7产生
MOVC A,@DPTR //读外扩rom，产生读时序，由PSEN产生
我这里这介绍RAM的读写。当我们发出一条MOVX指令的时候，先发出16位地址，产生控制时序，然后在写（读）数据，这个时候，我们低8位地址总线就与数据总线冲突了（因为都是用的P0口），使用如果我们要时候低8位地址去限定的时候，就可以就一个锁存器，来锁存低8位地址（这个时候要用到锁存信号引脚ALE），再比如我们外围器件不多的时候，或者外扩ram不超过2^8=256B的时候，完全可以不管低8位。
然后就是我们读写控制线都有效时序都是由高到低，当数据读写完后，在变为高电平，你们要注意自己控制的外围器件的时序，看要不要加非门处理一下读写时序，比如控制LCD1602的时候。
我们大致了解了这个控制过程（想详细了解的建议去看书，单片机原理），我们在开发的过程中很少用汇编写项目，下面我们就来看看C语言的写法。
首先我们来看一看下面的关键字：
code 以MOVC @A+DPTR 读取的程序内存
data 可以直接存取的内部数据存储器
idata 以 MOV@Rn 存取的内部数据存储器
bdata 可以位寻址（BitAddressable）的内部存储器
xdata 以MOVX @DPTR 存取的外部数据存储器
pdata 以MOVX @Rn 存取的外部数据存储器
我们一般都只用到 xdata，我们在头文件<absacc.h>中可以看到这样一个定义
#define XBYTE ((unsigned char voalite xdata*)0)
这样一个宏定义，这个宏定义我按我自己的理解去演示一遍，
当我们用XBYTE[0X1000]=1；
想当于 MOV @DPTR,1000H
MOV A,#1
MOVX @DPTR,A
把1写到外部ram地址位0x1000中，如果是 i=XBYTE[0X1000];这就是读了，意思是差不多的。
这个地址0x1000，就是通过地址总线发出去的，P0发送0x00也就是低8位，P2发送0x10也就是高8位，发送地址后，控制线发出对应的控制时序，ALE发送锁存，WR发出一个下降沿，这个时候在通过数据总线P0发送1出去。WR在复位到高电平。这就是大概流程。
当我们不是外扩ram的时候 XBYTE[]中的地址应该怎么去填呢，我们来举的DAC0832的例子，借用的别人的图
我们0832是在片选CS为低的时候，给WR低电平就可以工作了。
上图我们可以明显体会到用外扩ram这种编程方法的便利，以及节省很多资源了（用i/o直接操作的话，不加额外的器件，连接两个DAC起码要16个引脚）。
当我们想让dac0832(1)工作，但片2不工作，就要让P2.7=0，P2.6=0,P2.5=1。是不是这样的。
所以我们片1的地址高3位就出来了，其余的地址都影响不到它，所以我们称为地址无关位，我们任意填什么都可以，为了方便，我就填0。那么片1的地址 是不是就是XBYTE[0X2000] (001 0 0000 0000 0000)，是不是就是这样的，
同理片2的就为 XBYTE[0X8000] (100 0 0000 0000 0000) 。
当我们写 XBYTE[0x2000]=0xff;这句话，是不是就启动了dac0832，并写入了0xff。
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