为什么mos发热？

大家好，下面电路PWM频率7、800K，电压5V；负载是LED光源，电流最大1.5A，1A时候发热厉害

电路


mos参数



1A时，栅极波形                                                  漏极波形

结电容在作怪，把频率降低点吧

这是画的个什么图啊  

ZG11211 发表于 2013-1-2 14:46
结电容在作怪，把频率降低点吧

这个好像接0.2A 的光源，就没问题了，波形都正常，电流大后有干扰了，不知道为什么mos管发热

liusensen 发表于 2013-1-2 15:55
这是画的个什么图啊

是简化图，电路大致是这意思

噢 懂得了   

求详解！

波形上升下降不快，，每一次上升发热一次，下降也发热一次，800K频率，一秒就发热很多次，

降低频率，提升上升下降速度

1\MOS有内阻，电流大的时候当然会发热
2、高频的时候，MOS还有电容性，也会造成发热。

谈的元 发表于 2013-1-3 12:37
波形上升下降不快，，每一次上升发热一次，下降也发热一次，800K频率，一秒就发热很多次，

降低频率，提升 ...

降低频率，确实能降低开关损耗，不过光源是高速扫描用的，不能降低频率；不过为什么开关损耗这么大呢？提升上升、下降速度，就是增加栅极驱动吗？这个好像会引起di/dt更大，造成更大干扰

rogerllg 发表于 2013-1-3 16:54
1\MOS有内阻，电流大的时候当然会发热
2、高频的时候，MOS还有电容性，也会造成发热。 ...

我感觉，mos应该饱和了，饱和电阻几十毫欧，很小了不应该发热很厉害啊；电容功耗很大吗？栅极波形应该是栅极电容引起的，漏极好像是感性负载引起的，电容怎么看波形呢？

xiaoyuxiaoer 发表于 2013-1-3 21:13
我感觉，mos应该饱和了，饱和电阻几十毫欧，很小了不应该发热很厉害啊；电容功耗很大吗？栅极波形应该是 ...

1、你通过门电路控制的话，VGS并不高，导通的内阻应该有上百毫欧吧！不知道你用哪一颗MOS
2、感性负载会造成相关问题，建议反并二极管试试。。。

rogerllg 发表于 2013-1-3 21:20
1、你通过门电路控制的话，VGS并不高，导通的内阻应该有上百毫欧吧！不知道你用哪一颗MOS
2、感性负载会 ...

谢谢提示！  文档曲线4V的时候是50毫欧，应该很小了；另外反并二极管是怎么接呢，是漏极接二极管的阳极，24V接阴极吗？是不是类似续流管的作用啊？

发热是过流引起的！如果LED单个并联；要知道；管压降只有２V，你想；２２V加在MOS管上、不热才怪呢？

MOS管截止频率很高的，７。８KHZ不算什么！也不是所谓感应负载！更不是结间电容引起的！同理；７。８KHZ不算什么！降低工作电压试试；或更换更大功率的；或加散热片；

jjeemm77 发表于 2013-1-4 16:33
发热是过流引起的！如果LED单个并联；要知道；管压降只有２V，你想；２２V加在MOS管上、不热才怪呢？ ...

不是的，LED是串并联都有的，分压22V，按理论关断漏极电压应该2v,不过实测电流越大，漏极电压将近20v了

把详细电路帖出.

jjeemm77 发表于 2013-1-4 16:47
MOS管截止频率很高的，７。８KHZ不算什么！也不是所谓感应负载！更不是结间电容引起的！同理；７。８KHZ不 ...

是700K、800KHZ，不过实际做的是1MHZ的，脉宽0到95%可调，加散热片还是发热；不过1A左右不应该这么热啊，好像开关损耗太大了，不知道怎么避免

干扰大要想法消除干扰，

频率不能改变的话，要降低发热就要提高开关速度，使MOS放大阶段的时间变短

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