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三象限可控硅问题，大家探讨探讨啊！

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 楼主| 发表于 2008-10-29 09:25 | 显示全部楼层 |阅读模式
可控硅, 回路, rc, 控制, 感性负载
大家好：
    我目前在做一个项目，需要用的可控硅，最近看到一份资料，介绍三象限可控硅和四象限可控硅的区别，资料上介绍三象限可控硅有很高的dv/dt（典型值4000V/us），在控制感性负载时不要要加RC吸收回路来抑制dv/dt。
    请问有人用过三象限的可控硅吗？是否有必要加RC吸收回路？？
    望各位大侠指教！！
    谢谢！！！



 
 
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