这个MOS管驱动电路为什么为要加个R4呢?

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zjp8683463 发表于 2009-11-5 08:47 | 显示全部楼层
本帖最后由 zjp8683463 于 2009-11-5 08:50 编辑
18# zjp8683463  
谢谢你的回答。
嗯,电流的上升时间的确应该没那么快。
但是充电时间的长短应该是由R4与Cgs决定的吧?一般功率MOS的Cgs都有上千p,这样时间就长了啊? ...
ecook 发表于 2009-11-4 18:56


这个充电时间就决定了最大的开关频率。R4会减少频率响应,但没必要那么快,一般作为电源开关频率做到100K就可以了。也一些阀器件的驱动,开关频率要小于1K。
shaoguangkeji 发表于 2009-11-5 08:52 | 显示全部楼层
楼楼怎么才能看到你的图?
 楼主| ecook 发表于 2009-11-5 09:15 | 显示全部楼层
主要是限制振荡,改善EMC
后面是个电感,打开速度本来就不需要那么快

请问版主,限制振荡是如何实现的呢?
还有为什么后面是电感的话,打开速度就不需要那么快呢?
对DC-DC完全不懂,还望版主解答。谢谢了
zjp8683463 发表于 2009-11-5 09:26 | 显示全部楼层
开关速度和负载关系不大。速度太快,MOS管的交流损耗太大。电源效率降低
fyg123 发表于 2009-11-5 10:15 | 显示全部楼层
这只是起到抑制瞬间大电流,从而保护栅极的氧化物不被击穿!
至于要用的电阻是多大功率,首先得要知道栅极电容有多大,还有管工作的在频率是多少!
wdddq 发表于 2010-3-14 21:58 | 显示全部楼层
有哪位能仔细的分析一下这个电路,然后再说明自己的观点,我想这样更有说服力。
wdddq 发表于 2010-3-14 21:58 | 显示全部楼层
有哪位能仔细的分析一下这个电路,然后再说明自己的观点,我想这样更有说服力。
weshiluwei6 发表于 2012-7-13 10:12 | 显示全部楼层
很不错 学习了啊
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