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这个MOS管驱动电路为什么为要加个R4呢？

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楼主: ecook
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21楼
zjp8683463| | 2009-11-5 08:47 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
本帖最后由 zjp8683463 于 2009-11-5 08:50 编辑
18# zjp8683463  
谢谢你的回答。
嗯，电流的上升时间的确应该没那么快。
但是充电时间的长短应该是由R4与Cgs决定的吧？一般功率MOS的Cgs都有上千p，这样时间就长了啊？ ...
ecook 发表于 2009-11-4 18:56


这个充电时间就决定了最大的开关频率。R4会减少频率响应，但没必要那么快，一般作为电源开关频率做到100K就可以了。也一些阀器件的驱动，开关频率要小于1K。

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22楼
shaoguangkeji| | 2009-11-5 08:52 | 只看该作者
楼楼怎么才能看到你的图？

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23楼
ecook|  楼主 | 2009-11-5 09:15 | 只看该作者
主要是限制振荡，改善EMC
后面是个电感，打开速度本来就不需要那么快

请问版主，限制振荡是如何实现的呢？
还有为什么后面是电感的话，打开速度就不需要那么快呢？
对DC-DC完全不懂，还望版主解答。谢谢了

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24楼
zjp8683463| | 2009-11-5 09:26 | 只看该作者
开关速度和负载关系不大。速度太快，MOS管的交流损耗太大。电源效率降低

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25楼
fyg123| | 2009-11-5 10:15 | 只看该作者
这只是起到抑制瞬间大电流，从而保护栅极的氧化物不被击穿！
至于要用的电阻是多大功率，首先得要知道栅极电容有多大，还有管工作的在频率是多少！

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26楼
wdddq| | 2010-3-14 21:58 | 只看该作者
有哪位能仔细的分析一下这个电路，然后再说明自己的观点，我想这样更有说服力。

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27楼
wdddq| | 2010-3-14 21:58 | 只看该作者
有哪位能仔细的分析一下这个电路，然后再说明自己的观点，我想这样更有说服力。

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28楼
weshiluwei6| | 2012-7-13 10:12 | 只看该作者
很不错 学习了啊

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