开关电源，MOS管发热严重

发表于 2016-3-23 10:51

本帖最后由 Siderlee 于 2016-3-23 10:54 编辑

先研究研究驱动吧

1）需要死区

2）需要驱动能力

。。

登录 · 发表于 2016-3-23 11:22

benidy 发表于 2016-3-23 10:43
先不说楼主电路部分是否可行，光从电路上看楼主用的Mos属于功率Mos，324肯定驱动不了的，表现出来就是Gate ...

不知这样可不可以，一级三极管提高电平，后面在加推挽驱动提升驱动能力。选用一个NMOS开关

登录 · 发表于 2016-3-23 13:05

ziwanxu 发表于 2016-3-23 11:22
不知这样可不可以，一级三极管提高电平，后面在加推挽驱动提升驱动能力。选用一个NMOS开关

...

第二种方案单片机IO口可以直接驱动、

发表于 2016-3-23 14:57

不亦心发表于 2016-3-23 13:05
第二种方案单片机IO口可以直接驱动、

第二种方法上面MOS管G级应该接什么

发表于 2016-3-23 15:12

ziwanxu 发表于 2016-3-23 14:57
第二种方法上面MOS管G级应该接什么

上拉到电源啊（电源电压足够驱动，不要接5V哦）

发表于 2016-3-23 15:14

不亦心发表于 2016-3-23 15:12
上拉到电源啊（电源电压足够驱动，不要接5V哦）

我想多了。。
你只是要pwm调光，工作在开关状态，
直接选个40V低压MOS，单片机IO口可以直接驱动了

发表于 2016-3-23 16:03

不亦心发表于 2016-3-23 15:14
我想多了。。
你只是要pwm调光，工作在开关状态，
直接选个40V低压MOS，单片机IO口可以直接驱动了 ...

单片机IO口直接驱动会不会驱动能力不够，mos管不饱和。我22楼发的电路如何？

发表于 2016-3-23 17:28

ziwanxu 发表于 2016-3-23 16:03
单片机IO口直接驱动会不会驱动能力不够，mos管不饱和。我22楼发的电路如何？ ...

AO3400,30V6A的MOS够用了，PWM频率跑低一点，可以直接驱动了。
22L的图太繁琐，直接用23L的第一种吧
非要用22L的，把R5移到Q2发射级，电阻值减小，
C5干掉，D3干掉

登录 · 发表于 2016-3-23 18:53

不亦心发表于 2016-3-23 17:28
AO3400,30V6A的MOS够用了，PWM频率跑低一点，可以直接驱动了。
22L的图太繁琐，直接用23L的第一种吧
非要 ...

重新画了一下，这两个电路不知道有什么地方需要修改的？负载15-25V，4A，哪种更好一点？

发表于 2016-3-24 16:05

负载是电阻、容性还是感性？

发表于 2016-3-24 16:06

负载是电阻的话，下管可以去掉吧？！

发表于 2016-3-26 14:51

负载LED

发表于 2016-3-27 20:11

Pmos本身内阻大于NMOS，发热度肯定高，鉴于开关速度不一样冲击更是奇葩，搞上吸收二极管吧，如果你考虑了同时开启和关闭的想法
而且驱动的前端，你需要接个小阻值电阻，匹配速度

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